Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Zintegrowane obwody (ICS) > Pamięć > MT29E6T08ETHBBM5-3:B TR
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4266506

MT29E6T08ETHBBM5-3:B TR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1000+
$600.631
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MT29E6T08ETHBBM5-3:B TR
  • Producent / marka
    Micron Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC FLASH 6T PARALLEL 333MHZ
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    -
  • Napięcie - Dostawa
    2.5 V ~ 3.6 V
  • Technologia
    FLASH - NAND
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Inne nazwy
    MT29E6T08ETHBBM5-3:B TR-ND
    MT29E6T08ETHBBM5-3:BTR
  • temperatura robocza
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Non-Volatile
  • Rozmiar pamięci
    6Tb (768G x 8)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    FLASH
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    FLASH - NAND Memory IC 6Tb (768G x 8) Parallel 333MHz
  • Częstotliwość zegara
    333MHz

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „MT29E6T08ETHBBM5-3:B TR”.
MT29F128G08AEEBBH6-12:B

MT29F128G08AEEBBH6-12:B

Opis: IC FLASH 128G PARALLEL 83MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29F128G08AECBBH6-6IT:B

MT29F128G08AECBBH6-6IT:B

Opis: IC FLASH 128G PARALLEL VBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29E512G08CUCDBJ6-6:D TR

MT29E512G08CUCDBJ6-6:D TR

Opis: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29F128G08AECBBH6-6:B TR

MT29F128G08AECBBH6-6:B TR

Opis: IC FLASH 128G PARALLEL 152VBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29E768G08EEHBBJ4-3:B

MT29E768G08EEHBBJ4-3:B

Opis: IC FLASH 768G PARALLEL 333MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR

MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR

Opis: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29E512G08CMCCBH7-6:C TR

MT29E512G08CMCCBH7-6:C TR

Opis: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29F128G08AECBBH6-6IT:B TR

MT29F128G08AECBBH6-6IT:B TR

Opis: IC FLASH 128G PARALLEL 167MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29E6T08ETHBBM5-3:B

MT29E6T08ETHBBM5-3:B

Opis: IC FLASH 6T PARALLEL 333MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29E512G08CUCDBJ6-6:D

MT29E512G08CUCDBJ6-6:D

Opis: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A TR

MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A TR

Opis: IC FLASH 512G PARALLEL 132LBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29E768G08EEHBBJ4-3:B TR

MT29E768G08EEHBBJ4-3:B TR

Opis: IC FLASH 768G PARALLEL 333MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29E512G08CMCCBH7-6ES:C TR

MT29E512G08CMCCBH7-6ES:C TR

Opis: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29E6T08ETHBBM5-3ES:B TR

MT29E6T08ETHBBM5-3ES:B TR

Opis: IC FLASH 6T PARALLEL 333MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29E512G08CMCCBH7-6:C

MT29E512G08CMCCBH7-6:C

Opis: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29E768G08EEHBBJ4-3ES:B TR

MT29E768G08EEHBBJ4-3ES:B TR

Opis: IC FLASH 768G PARALLEL 333MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29F128G08AEEBBH6-12:B TR

MT29F128G08AEEBBH6-12:B TR

Opis: IC FLASH 128G PARALLEL 83MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A

MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A

Opis: IC FLASH 512G PARALLEL 132LBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29E64G08CBCDBJ4-6:D

MT29E64G08CBCDBJ4-6:D

Opis: IC FLASH 64GBIT 48TSOP

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29F128G08AJAAAWP-IT:A

MT29F128G08AJAAAWP-IT:A

Opis: IC FLASH 128G PARALLEL 48TSOP I

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.