Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > MT29E256G08CBHBBJ4-3ES:B
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5341668

MT29E256G08CBHBBJ4-3ES:B

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1120+
$17.597
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MT29E256G08CBHBBJ4-3ES:B
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC FLASH 256G PARALLEL 333MHZ
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    -
  • Napięcie - Dostawa
    2.5 V ~ 3.6 V
  • Technologia
    FLASH - NAND
  • Seria
    -
  • temperatura robocza
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Non-Volatile
  • Rozmiar pamięci
    256Gb (32G x 8)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    FLASH
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    FLASH - NAND Memory IC 256Gb (32G x 8) Parallel 333MHz
  • Częstotliwość zegara
    333MHz
MT29E256G08CECCBH6-6:C

MT29E256G08CECCBH6-6:C

Opis: IC FLASH 256G PARALLEL 167MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT29E1T08CMHBBJ4-3:B

MT29E1T08CMHBBJ4-3:B

Opis: IC FLASH 1T PARALLEL 333MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT29E1T08CUCCBH8-6:C TR

MT29E1T08CUCCBH8-6:C TR

Opis: IC FLASH 1T PARALLEL 167MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT29E2T08CTCBBJ7-6:B TR

MT29E2T08CTCBBJ7-6:B TR

Opis: IC FLASH 2T PARALLEL 167MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT29E256G08CMCABJ2-10Z:A

MT29E256G08CMCABJ2-10Z:A

Opis: IC FLASH 256G PARALLEL 132TBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR

MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR

Opis: IC FLASH 1.125T PARALLEL 132VBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT29E2T08CTCCBJ7-6:C

MT29E2T08CTCCBJ7-6:C

Opis: IC FLASH 2T PARALLEL 167MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT29E1T08CPCBBH8-6:B TR

MT29E1T08CPCBBH8-6:B TR

Opis: IC FLASH 1T PARALLEL 167MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT29E1T08CMHBBJ4-3ES:B TR

MT29E1T08CMHBBJ4-3ES:B TR

Opis: IC FLASH 1T PARALLEL 333MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT29E256G08CECBBH6-6:B TR

MT29E256G08CECBBH6-6:B TR

Opis: IC FLASH 256G PARALLEL 167MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT29E256G08CMCABJ2-10Z:A TR

MT29E256G08CMCABJ2-10Z:A TR

Opis: IC FLASH 256G PARALLEL 132VBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT29E2T08CTCCBJ7-6:C TR

MT29E2T08CTCCBJ7-6:C TR

Opis: IC FLASH 2T PARALLEL 167MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT29E1T208ECHBBJ4-3:B

MT29E1T208ECHBBJ4-3:B

Opis: IC FLASH 1.125T PARALLEL VBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT29E256G08CMCDBJ5-6:D

MT29E256G08CMCDBJ5-6:D

Opis: IC FLASH 256G PARALLEL 132TBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT29E1T208ECHBBJ4-3:B TR

MT29E1T208ECHBBJ4-3:B TR

Opis: IC FLASH 1.125T PARALLEL 132VBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT29E256G08CMCDBJ5-6:D TR

MT29E256G08CMCDBJ5-6:D TR

Opis: IC FLASH 256G PARALLEL 132TBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT29E1T08CMHBBJ4-3:B TR

MT29E1T08CMHBBJ4-3:B TR

Opis: IC FLASH 1T PARALLEL 333MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT29E256G08CECCBH6-6:C TR

MT29E256G08CECCBH6-6:C TR

Opis: IC FLASH 256G PARALLEL 167MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT29E1T08CUCBBH8-6:B TR

MT29E1T08CUCBBH8-6:B TR

Opis: IC FLASH 1T PARALLEL 167MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT29E1T08CUCCBH8-6:C

MT29E1T08CUCCBH8-6:C

Opis: IC FLASH 1T PARALLEL 167MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść