Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Zintegrowane obwody (ICS) > Pamięć > EDY4016AABG-DR-F-R TR
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2573025Obraz EDY4016AABG-DR-F-R TR.Micron Technology

EDY4016AABG-DR-F-R TR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1000+
$11.709
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    EDY4016AABG-DR-F-R TR
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    -
  • Napięcie - Dostawa
    1.14 V ~ 1.26 V
  • Technologia
    SDRAM - DDR4
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    96-FBGA (7.5x13.5)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    96-TFBGA
  • Inne nazwy
    EDY4016AABG-DR-F-R
    EDY4016AABG-DR-F-R TR-ND
    EDY4016AABG-DR-F-R-ND
    EDY4016AABG-DR-F-RTR
  • temperatura robocza
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    4Gb (256M x 16)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    DRAM
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    SDRAM - DDR4 Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 1.2GHz 96-FBGA (7.5x13.5)
  • Częstotliwość zegara
    1.2GHz
MT29F512G08CMCABH7-6R:A

MT29F512G08CMCABH7-6R:A

Opis: IC FLASH 512G PARALLEL 152TBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53E1G32D4NQ-053 WT:E TR

MT53E1G32D4NQ-053 WT:E TR

Opis: LPDDR4 32G 1GX32 FBGA WT QDP

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDY4016AABG-DR-F-D

EDY4016AABG-DR-F-D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
71V65803S133PFGI8

71V65803S133PFGI8

Opis: IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
71256SA20YG8

71256SA20YG8

Opis: IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
IS61VF51236A-6.5B3I-TR

IS61VF51236A-6.5B3I-TR

Opis: IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

Producenci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na stanie
MT53D4DADT-DC

MT53D4DADT-DC

Opis: SPECIAL/CUSTOM LPDDR4

Producenci: Micron Technology
Na stanie
CY7C1520AV18-200BZCT

CY7C1520AV18-200BZCT

Opis: IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

Producenci: Cypress Semiconductor
Na stanie
S29GL064S70TFI060

S29GL064S70TFI060

Opis: IC NOR

Producenci: Cypress Semiconductor
Na stanie
S25FL128SAGBHVC00

S25FL128SAGBHVC00

Opis: IC 128 MB FLASH MEMORY

Producenci: Cypress Semiconductor
Na stanie
IS61WV25616BLL-10TL-TR

IS61WV25616BLL-10TL-TR

Opis: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

Producenci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na stanie
EDY4016AABG-JD-F-R TR

EDY4016AABG-JD-F-R TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDY4016AABG-GX-F-D

EDY4016AABG-GX-F-D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
IS61WV51232BLL-10BLI-TR

IS61WV51232BLL-10BLI-TR

Opis: IC SRAM 16M PARALLEL 90FBGA

Producenci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na stanie
EDY4016AABG-GX-F-R TR

EDY4016AABG-GX-F-R TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT47H256M8EB-3:C TR

MT47H256M8EB-3:C TR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDY4016AABG-JD-F-D

EDY4016AABG-JD-F-D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
70V28L20PFGI

70V28L20PFGI

Opis: IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
MT29F512G08EECAGJ4-5M:A

MT29F512G08EECAGJ4-5M:A

Opis: TLC 512G 64GX8 VBGA DDP

Producenci: Micron Technology
Na stanie
70T651S12BC8

70T651S12BC8

Opis: IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść