Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > EDB5432BEPA-1DIT-F-R
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3733618

EDB5432BEPA-1DIT-F-R

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1000+
$4.697
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    EDB5432BEPA-1DIT-F-R
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRAM 512M PARALLEL 533MHZ
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    -
  • Napięcie - Dostawa
    1.14 V ~ 1.95 V
  • Technologia
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Seria
    -
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 85°C (TC)
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    512Mb (16M x 32)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    DRAM
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 533MHz
  • Częstotliwość zegara
    533MHz
EDB8164B4PK-1D-F-D

EDB8164B4PK-1D-F-D

Opis: IC DRAM 8G PARALLEL 220FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR

EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB8132B4PM-1DAT-F-R TR

EDB8132B4PM-1DAT-F-R TR

Opis: IC DRAM 8G PARALLEL 533MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB8132B4PM-1D-F-R TR

EDB8132B4PM-1D-F-R TR

Opis: IC DRAM 8G PARALLEL 168FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB5432BEPA-1DAAT-F-D

EDB5432BEPA-1DAAT-F-D

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB5432BEBH-1DAAT-F-D

EDB5432BEBH-1DAAT-F-D

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB5432BEPA-1DIT-F-R TR

EDB5432BEPA-1DIT-F-R TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB8132B4PM-1DAT-F-D

EDB8132B4PM-1DAT-F-D

Opis: IC DRAM 8G PARALLEL 533MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB8132B4PB-8D-F-D

EDB8132B4PB-8D-F-D

Opis: IC DRAM 8G PARALLEL 168FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB8132B4PM-1D-F-D

EDB8132B4PM-1D-F-D

Opis: IC DRAM 8G PARALLEL 168FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB5432BEBH-1DIT-F-D

EDB5432BEBH-1DIT-F-D

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB5432BEPA-1DIT-F-D

EDB5432BEPA-1DIT-F-D

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB8132B4PM-1DAT-F-D TR

EDB8132B4PM-1DAT-F-D TR

Opis: IC DRAM 8G PARALLEL 533MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR

EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB5432BEPA-1DAAT-F-R TR

EDB5432BEPA-1DAAT-F-R TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB8132B4PB-8D-F-R TR

EDB8132B4PB-8D-F-R TR

Opis: IC DRAM 8G PARALLEL 168FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR

EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB7312

EDB7312

Opis: KIT DEVELOPMENT EP73XX ARM7

Producenci: Cirrus Logic
Na stanie
EDB4432BBPE-1D-F-D

EDB4432BBPE-1D-F-D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść