Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > MCCD2005-TP
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6214868Obraz MCCD2005-TP.Micro Commercial Components (MCC)

MCCD2005-TP

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.152
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MCCD2005-TP
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET 2N-CH 20V 8A
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DFN2030-6
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    13 mOhm @ 8A, 10V
  • Moc - Max
    -
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    6-WFDFN Exposed Pad
  • Inne nazwy
    MCCD2005-TPMSTR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    22 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1800pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    17.9nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • Cecha FET
    Standard
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 8A Surface Mount DFN2030-6
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    8A
MCCG-3N

MCCG-3N

Opis: GROMMET EDGE SLOT SS BLK 1=100'

Producenci: Essentra Components
Na stanie
MCC95-14IO1B

MCC95-14IO1B

Opis: MOD THYRISTOR DUAL 1400V TO240AA

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
MCCG-1N

MCCG-1N

Opis: GROMMET EDGE SLOT SS BLK 1=100'

Producenci: Essentra Components
Na stanie
MCCD2004-TP

MCCD2004-TP

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 10A

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
MCC95-14IO8B

MCC95-14IO8B

Opis: MOD THYRISTOR DUAL 1400V TO240AA

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
MCC95-12IO1B

MCC95-12IO1B

Opis: THYRISTOR MODULE 1200V 2X116A

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
MCC95-08IO1B

MCC95-08IO1B

Opis: MOD THYRISTOR DUAL 800V TO-240AA

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
MCC95-08IO8B

MCC95-08IO8B

Opis: MOD THYRISTOR DUAL 800V TO-240AA

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
MCCG-6N

MCCG-6N

Opis: GROMMET EDGE SLOT SS BLK 1=100'

Producenci: Essentra Components
Na stanie
MCCG-2N

MCCG-2N

Opis: GROMMET EDGE SLOT SS BLK 1=100'

Producenci: Essentra Components
Na stanie
MCC95-18IO8B

MCC95-18IO8B

Opis: MOD THYRISTOR DUAL 1800V TO240AA

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
MCC95-16IO8B

MCC95-16IO8B

Opis: THYRISTOR MODULE 1600V TO-240AA

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
MCC95-12IO8B

MCC95-12IO8B

Opis: THYRISTOR MODULE 1200V 2X116A

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
MCCGF-2N

MCCGF-2N

Opis: GROMMET EDGE SLOT SS BLK 1=100'

Producenci: Essentra Components
Na stanie
MCCD2007-TP

MCCD2007-TP

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 7A

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
MCC95-16IO1B

MCC95-16IO1B

Opis: THYRISTOR MODULE 1600V 2X116A

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
MCCGF-3N

MCCGF-3N

Opis: GROMMET EDGE SLOT SS BLK 1=100'

Producenci: Essentra Components
Na stanie
MCC95-18IO1B

MCC95-18IO1B

Opis: MOD THYRISTOR DUAL 1800V TO240AA

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
MCCGF-1N

MCCGF-1N

Opis: GROMMET EDGE SLOT SS BLK 1=100'

Producenci: Essentra Components
Na stanie
MCCG-4N

MCCG-4N

Opis: GROMMET EDGE SLOT SS BLK 1=100'

Producenci: Essentra Components
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść