Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > GPA801-BP
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3733357

GPA801-BP

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    GPA801-BP
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GPP 8A TO220AC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.1V @ 8A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    50V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220AC
  • Prędkość
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Package / Case
    TO-220-2 Full Pack
  • Temperatura pracy - złącze
    -65°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 50V 8A Through Hole TO-220AC
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 50V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    8A
  • Pojemność @ VR F
    50pF @ 4V, 1MHz
GPA801 C0G

GPA801 C0G

Opis: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
GPA802-BP

GPA802-BP

Opis: DIODE GPP 8A TO220AC

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
GPA802HC0G

GPA802HC0G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
GPA042A100L-ND

GPA042A100L-ND

Opis: IGBT 1000V 60A 463W TO264

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GPA801HC0G

GPA801HC0G

Opis: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
GPA030A135MN-FDR

GPA030A135MN-FDR

Opis: IGBT 1350V 60A 329W TO3PN

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GPA030A120MN-FD

GPA030A120MN-FD

Opis: IGBT 1200V 60A 329W TO3PN

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GPA060A060MN-FD

GPA060A060MN-FD

Opis: IGBT 600V 120A 347W TO3PN

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GPA803 C0G

GPA803 C0G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
GPA040A120MN-FD

GPA040A120MN-FD

Opis: IGBT 1200V 80A 480W TO3PN

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GPA2000-0.010-02-0816

GPA2000-0.010-02-0816

Opis: THERM PAD 406.4MMX203.2MM GRAY

Producenci: Bergquist
Na stanie
GPA801DT-TP

GPA801DT-TP

Opis: DIODE GPP 8A D2PAK

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
GPA040A120L-ND

GPA040A120L-ND

Opis: IGBT 1200V 80A 455W TO264

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GPA802DT-TP

GPA802DT-TP

Opis: DIODE GPP 8A D2PAK

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
GPA803-BP

GPA803-BP

Opis: DIODE GPP 8A TO220AC

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
GPA030A120I-FD

GPA030A120I-FD

Opis: IGBT 1200V 60A 329W TO247

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GPA803DT-TP

GPA803DT-TP

Opis: DIODE GPP 8A D2PAK

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
GPA802 C0G

GPA802 C0G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
GPA803HC0G

GPA803HC0G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
GPA040A120L-FD

GPA040A120L-FD

Opis: IGBT 1200V 80A 480W TO264

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść