Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Zintegrowane obwody (ICS) > Pamięć > DS1265AB-100+
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
364543Obraz DS1265AB-100+.Maxim Integrated

DS1265AB-100+

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$159.73
10+
$151.74
25+
$140.07
50+
$133.067
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DS1265AB-100+
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    100ns
  • Napięcie - Dostawa
    4.75 V ~ 5.25 V
  • Technologia
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    36-EDIP
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • temperatura robocza
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Typ pamięci
    Non-Volatile
  • Rozmiar pamięci
    8Mb (1M x 8)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    NVSRAM
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 8Mb (1M x 8) Parallel 100ns 36-EDIP
  • Podstawowy numer części
    DS1265AB
  • Czas dostępu
    100ns
DS125MB203SQE/NOPB

DS125MB203SQE/NOPB

Opis: IC MULTIPLEXER PCIE 4CH 54WQFN

Producenci: Luminary Micro / Texas Instruments
Na stanie
DS1265AB-70IND+

DS1265AB-70IND+

Opis: IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP

Producenci: Maxim Integrated
Na stanie
DS1260-100

DS1260-100

Opis: IC SMART BATTERY 3V 16-DIP

Producenci: Maxim Integrated
Na stanie
DS1265W-100

DS1265W-100

Opis: IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP

Producenci: Maxim Integrated
Na stanie
DS1265W-150+

DS1265W-150+

Opis: IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP

Producenci: Maxim Integrated
Na stanie
DS1265AB-70

DS1265AB-70

Opis: IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP

Producenci: Maxim Integrated
Na stanie
DS1265W-100IND+

DS1265W-100IND+

Opis: IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP

Producenci: Maxim Integrated
Na stanie
DS1260-50

DS1260-50

Opis: IC SMART BATTERY 500MAH 16-DIP

Producenci: Maxim Integrated
Na stanie
DS1260-25

DS1260-25

Opis: IC SMART BATTERY 250MAH 16-DIP

Producenci: Maxim Integrated
Na stanie
DS1265AB-70IND

DS1265AB-70IND

Opis: IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP

Producenci: Maxim Integrated
Na stanie
DS1265W-100IND

DS1265W-100IND

Opis: IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP

Producenci: Maxim Integrated
Na stanie
DS1265AB-70+

DS1265AB-70+

Opis: IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP

Producenci: Maxim Integrated
Na stanie
DS125RT410SQE/NOPB

DS125RT410SQE/NOPB

Opis: IC RETIMER 4CH MULTI-RATE 48WQFN

Producenci: Luminary Micro / Texas Instruments
Na stanie
DS1265AB-100

DS1265AB-100

Opis: IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP

Producenci: Maxim Integrated
Na stanie
DS125RT410SQ/NOPB

DS125RT410SQ/NOPB

Opis: IC RETIMER ETHERNET 48WQFN

Producenci: Luminary Micro / Texas Instruments
Na stanie
DS125MB203SQ/NOPB

DS125MB203SQ/NOPB

Opis: IC MULTIPLEXER PCIE 4CH 54WQFN

Producenci: Luminary Micro / Texas Instruments
Na stanie
DS125DF410SQE/NOPB

DS125DF410SQE/NOPB

Opis: IC RETIMER 4CH MULTI-RATE 48WQFN

Producenci: Luminary Micro / Texas Instruments
Na stanie
DS1265W-100+

DS1265W-100+

Opis: IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP

Producenci: Maxim Integrated
Na stanie
DS125DF410SQ/NOPB

DS125DF410SQ/NOPB

Opis: IC RETIMER 4CH MULTI-RATE 48WQFN

Producenci: Luminary Micro / Texas Instruments
Na stanie
DS1265W-150

DS1265W-150

Opis: IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP

Producenci: Maxim Integrated
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść