Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > VT6J1T2CR
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
796719Obraz VT6J1T2CR.LAPIS Semiconductor

VT6J1T2CR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.56
10+
$0.405
100+
$0.239
500+
$0.135
1000+
$0.104
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    VT6J1T2CR
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET 2P-CH 20V 0.1A VMT6
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.VT6J1T2CR.pdf
    2.VT6J1T2CR.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 100µA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    VMT6
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    3.8 Ohm @ 100mA, 4.5V
  • Moc - Max
    120mW
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    6-SMD, Flat Leads
  • Inne nazwy
    VT6J1T2CRCT
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    17 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    15pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    -
  • Rodzaj FET
    2 P-Channel (Dual)
  • Cecha FET
    Logic Level Gate, 1.2V Drive
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 100mA 120mW Surface Mount VMT6
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    100mA

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „VT6J1T2CR”.
VT60-522

VT60-522

Opis: TRIPLE OUTPUT POWER SUPPLY

Producenci: TDK-Lambda Americas, Inc.
Na stanie
RFQ
VT6K1T2CR

VT6K1T2CR

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 0.1A VMT6

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
AO4806

AO4806

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8-SOIC

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
VT60M45C-M3/4W

VT60M45C-M3/4W

Opis: DIODE SCHOTTKY 45V TO220

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
VT6Z2T2R

VT6Z2T2R

Opis: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A 6VMT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
VT60-525

VT60-525

Opis: TRIPLE OUTPUT POWER SUPPLY

Producenci: TDK-Lambda Americas, Inc.
Na stanie
RFQ
VT60M120CHM3/4W

VT60M120CHM3/4W

Opis: DIODE SCHOTTKY 120V TO220

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
VT6045CHM3/4W

VT6045CHM3/4W

Opis: DIODE SCHOTTKY 45V 30A TO-220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
VT60M45CHM3/4W

VT60M45CHM3/4W

Opis: DIODE SCHOTTKY 45V TO220

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SP8K22FU6TB

SP8K22FU6TB

Opis: MOSFET 2N-CH 45V 4.5A 8SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
VT6X1T2R

VT6X1T2R

Opis: TRANS 2NPN 20V 0.2A 6VMT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
VT6M1T2CR

VT6M1T2CR

Opis: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
EFC6611R-A-TF

EFC6611R-A-TF

Opis: MOSFET 2N-CH 12V 27A EFCP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
VT60L45PW-M3/4W

VT60L45PW-M3/4W

Opis: DIODE SCHOTTKY 45V 30A TMBS

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
VT6045C-M3/4W

VT6045C-M3/4W

Opis: DIODE SCHOTTKY 45V 30A TO-220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SP8J3FU6TB

SP8J3FU6TB

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 3.5A 8SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
VT6Z1T2R

VT6Z1T2R

Opis: TRANS NPN/PNP 20V 0.2A 6VMT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
VT60-5FF

VT60-5FF

Opis: TRIPLE OUTPUT POWER SUPPLY

Producenci: TDK-Lambda Americas, Inc.
Na stanie
RFQ
VT6X2T2R

VT6X2T2R

Opis: TRANS 2NPN 50V 0.1A 6VMT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
DMN5L06DMK-7

DMN5L06DMK-7

Opis: MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-26

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.