Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > UT6JA2TCR
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5140757Obraz UT6JA2TCR.LAPIS Semiconductor

UT6JA2TCR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.302
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    UT6JA2TCR
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    -30V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.UT6JA2TCR.pdf
    2.UT6JA2TCR.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    HUML2020L8
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    70 mOhm @ 4A, 10V
  • Moc - Max
    2W
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    6-PowerUDFN
  • Inne nazwy
    UT6JA2TCRTR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    10 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    305pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    6.7nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    2 P-Channel (Dual)
  • Cecha FET
    -
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4A 2W Surface Mount HUML2020L8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    4A

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „UT6JA2TCR”.
APTM120TDU57PG

APTM120TDU57PG

Opis: MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
UT6-7-30-F1

UT6-7-30-F1

Opis: THERMOELECT

Producenci: Laird Technologies - Thermal Products
Na stanie
RFQ
AO4932

AO4932

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 11A/8A 8SOIC

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
FDPC8014AS

FDPC8014AS

Opis: MOSFET 2N-CH 25V 20A/40A

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTUD3174NZT5G

NTUD3174NZT5G

Opis: MOSFET 2 N-CH 20V 220MA SOT963

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRL6372PBF

IRL6372PBF

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
UT6J3TCR

UT6J3TCR

Opis: -20V PCH+PCH POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMFD4C20NT1G

NTMFD4C20NT1G

Opis: MOSFET 2N-CH 30V SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
CSD87312Q3E

CSD87312Q3E

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON

Producenci: Luminary Micro / Texas Instruments
Na stanie
RFQ
UT6MA3TCR

UT6MA3TCR

Opis: 20V NCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
GWM220-004P3-SMD SAM

GWM220-004P3-SMD SAM

Opis: MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
UT6-12-40-F1

UT6-12-40-F1

Opis: THERMOELECT

Producenci: Laird Technologies - Thermal Products
Na stanie
RFQ
DMC3400SDW-13

DMC3400SDW-13

Opis: MOSFET N/P-CH 30V SOT363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
IRF7342PBF

IRF7342PBF

Opis: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
AO4600CL

AO4600CL

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
FDC6305N

FDC6305N

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
UT6-12-40-F2

UT6-12-40-F2

Opis: THERMOELECT

Producenci: Laird Technologies - Thermal Products
Na stanie
RFQ
FDMJ1028N

FDMJ1028N

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 3.2A 6-MICROFET

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
UT6K3TCR

UT6K3TCR

Opis: 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
EPC2105

EPC2105

Opis: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.