Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - dwubiegunowe (BJT) - tablice, wstępn > UMA9NTR
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5440794Obraz UMA9NTR.LAPIS Semiconductor

UMA9NTR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.084
6000+
$0.076
15000+
$0.067
30000+
$0.063
75000+
$0.056
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    UMA9NTR
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    50V
  • Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC
    300mV @ 500µA, 10mA
  • Typ tranzystora
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    UMT5
  • Seria
    -
  • Rezystor - podstawa nadajnika (R2)
    10 kOhms
  • Rezystor - Podstawa (R1)
    10 kOhms
  • Moc - Max
    150mW
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    10 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Częstotliwość - Transition
    250MHz
  • szczegółowy opis
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT5
  • DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce
    20 @ 5mA, 5V
  • Obecny - Collector odcięcia (Max)
    500nA
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    100mA
  • Podstawowy numer części
    MA9
UMA4NTR

UMA4NTR

Opis: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
UMA2NTR

UMA2NTR

Opis: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
UMA4NT1

UMA4NT1

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W SC70

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
UMAL

UMAL

Opis: UM MAT RAMP TRIM ALUM

Producenci: Omron Automation & Safety
Na stanie
UMAL201421A012TA01

UMAL201421A012TA01

Opis: CAP/BATTERY LITHIUM 50F 2.3V

Producenci: Murata Electronics
Na stanie
UMA6NT1

UMA6NT1

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W SC70

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
UMAF5817

UMAF5817

Opis: DIODE SCHOTTKY 20V 1A ULTRAMITE

Producenci: Microsemi
Na stanie
UMA3NTR

UMA3NTR

Opis: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
UMA4NT1G

UMA4NT1G

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W SC70

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
UMA5NTR

UMA5NTR

Opis: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
UMAF5819

UMAF5819

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 1A ULTRAMITE

Producenci: Microsemi
Na stanie
UMAC040130A003TA01

UMAC040130A003TA01

Opis: CAP/BATTERY LITHIUM 10F 2.3V

Producenci: Murata Electronics
Na stanie
UMA6NTR

UMA6NTR

Opis: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
UMA5819

UMA5819

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 1A ULTRAMITE

Producenci: Microsemi
Na stanie
UMAF5818

UMAF5818

Opis: DIODE SCHOTTKY 30V 1A ULTRAMITE

Producenci: Microsemi
Na stanie
UMA5818

UMA5818

Opis: DIODE SCHOTTKY 30V 1A ULTRAMITE

Producenci: Microsemi
Na stanie
UMA5817-T7

UMA5817-T7

Opis: DIODE SCHOTTKY 20V 1A ULTRAMITE

Producenci: Microsemi
Na stanie
UMA7NTR

UMA7NTR

Opis: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
UMA8NTR

UMA8NTR

Opis: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
UMAL361421B024TA01

UMAL361421B024TA01

Opis: CAP/BATTERY LITHIUM 100F 2.7V

Producenci: Murata Electronics
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść