Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SP8M21FRATB
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6545652Obraz SP8M21FRATB.LAPIS Semiconductor

SP8M21FRATB

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.64
10+
$1.454
100+
$1.149
500+
$0.891
1000+
$0.704
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SP8M21FRATB
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (CORRESP
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.SP8M21FRATB.pdf
    2.SP8M21FRATB.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SOP
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    25 mOhm @ 6A, 10V, 46 mOhm @ 4A, 10V
  • Moc - Max
    2W
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Inne nazwy
    SP8M21FRATBCT
  • temperatura robocza
    150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    10 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1400pF @ 10V, 2400pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    21.6nC @ 5V, 28nC @ 5V
  • Rodzaj FET
    N and P-Channel
  • Cecha FET
    Standard
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    45V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array N and P-Channel 45V 6A (Ta), 4A (Ta) 2W Surface Mount 8-SOP
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    6A (Ta), 4A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SP8M21FRATB”.
SP8M3TB

SP8M3TB

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SP8K33FRATB

SP8K33FRATB

Opis: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRESP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SP8M10TB

SP8M10TB

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SP8M4FU6TB

SP8M4FU6TB

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SP8K4FU6TB

SP8K4FU6TB

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SP8M10FU6TB

SP8M10FU6TB

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SP8M51FRATB

SP8M51FRATB

Opis: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SP8M5FU6TB

SP8M5FU6TB

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SP8K4TB

SP8K4TB

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8-SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SP8M2FU6TB

SP8M2FU6TB

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SP8K5TB

SP8K5TB

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SP8M51TB1

SP8M51TB1

Opis: MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A SOP8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SP8K52FRATB

SP8K52FRATB

Opis: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SP8K5FU6TB

SP8K5FU6TB

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SP8K3FU6TB

SP8K3FU6TB

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SP8M4FRATB

SP8M4FRATB

Opis: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (CORRESP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SP8K3TB

SP8K3TB

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8-SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SP8M5FRATB

SP8M5FRATB

Opis: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SP8M3FU6TB

SP8M3FU6TB

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SP8M24FRATB

SP8M24FRATB

Opis: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (CORRESP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.