Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SP8M10FU6TB
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1670728

SP8M10FU6TB

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SP8M10FU6TB
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SP8M10FU6TB.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SOP
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    24 mOhm @ 7A, 10V
  • Moc - Max
    2W
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    600pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    11.8nC @ 5V
  • Rodzaj FET
    N and P-Channel
  • Cecha FET
    Logic Level Gate
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array N and P-Channel 30V 7A, 4.5A 2W Surface Mount 8-SOP
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    7A, 4.5A
  • Podstawowy numer części
    *M10

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SP8M10FU6TB”.
SP8K5FU6TB

SP8K5FU6TB

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SP8K52FRATB

SP8K52FRATB

Opis: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SP8K3FU6TB

SP8K3FU6TB

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SP8M4FRATB

SP8M4FRATB

Opis: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (CORRESP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SP8K4FU6TB

SP8K4FU6TB

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SP8K31TB1

SP8K31TB1

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SP8M2FU6TB

SP8M2FU6TB

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SP8M10TB

SP8M10TB

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SP8M3TB

SP8M3TB

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SP8K3TB

SP8K3TB

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8-SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SP8M51TB1

SP8M51TB1

Opis: MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A SOP8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SP8K33FRATB

SP8K33FRATB

Opis: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRESP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SP8M51FRATB

SP8M51FRATB

Opis: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SP8M21FRATB

SP8M21FRATB

Opis: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (CORRESP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SP8M3FU6TB

SP8M3FU6TB

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SP8M24FRATB

SP8M24FRATB

Opis: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (CORRESP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SP8K5TB

SP8K5TB

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SP8M4FU6TB

SP8M4FU6TB

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SP8K4TB

SP8K4TB

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8-SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SP8K32FRATB

SP8K32FRATB

Opis: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRESP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.