Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > RZR040P01TL
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3490880Obraz RZR040P01TL.LAPIS Semiconductor

RZR040P01TL

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.79
10+
$0.688
100+
$0.531
500+
$0.393
1000+
$0.315
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RZR040P01TL
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    RZR040P01TL.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±10V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TSMT3
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    30 mOhm @ 4A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    1W (Ta)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    SC-96
  • Inne nazwy
    RZR040P01MGTL
    RZR040P01TLCT
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    2350pF @ 6V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    30nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    12V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 12V 4A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TSMT3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    4A (Ta)

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RZR040P01TL”.
AOD4185L_003

AOD4185L_003

Opis: MOSFET P-CHANNEL 40V 40A TO252

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
ZXMN6A25N8TA

ZXMN6A25N8TA

Opis: MOSFET N-CH 60V 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
RUL035N02FRATR

RUL035N02FRATR

Opis: NCH 20V 3.5A POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SIB411DK-T1-GE3

SIB411DK-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IXTQ220N075T

IXTQ220N075T

Opis: MOSFET N-CH 75V 220A TO-3P

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
PMV55ENEAR

PMV55ENEAR

Opis: MOSFET N-CH 60V TO-236AB

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
IXFP26N50P3

IXFP26N50P3

Opis: MOSFET N-CH 500V 26A TO-220

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
RZR020P01TL

RZR020P01TL

Opis: MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
DMTH4005SK3Q-13

DMTH4005SK3Q-13

Opis: MOSFET NCH 40V 95A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
R5009ANX

R5009ANX

Opis: MOSFET N-CH 500V 9A TO220

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RZR025P01TL

RZR025P01TL

Opis: MOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
IPD50N04S408ATMA1

IPD50N04S408ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IRLR7833TRLPBF

IRLR7833TRLPBF

Opis: MOSFET N-CH 30V 140A DPAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IRF8113TR

IRF8113TR

Opis: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
STB25NM60N

STB25NM60N

Opis: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
CXDM4060N TR

CXDM4060N TR

Opis: MOSFET N-CH 40V 6A SOT-89

Producenci: Central Semiconductor
Na stanie
RFQ
TN2524N8-G

TN2524N8-G

Opis: MOSFET N-CH 240V 360MA SOT89-3

Producenci: Micrel / Microchip Technology
Na stanie
RFQ
NTMS5838NLR2G

NTMS5838NLR2G

Opis: MOSFET N-CH 40V 7.5A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRFR9214TR

IRFR9214TR

Opis: MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
APTM100UM65SAG

APTM100UM65SAG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 145A SP6

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.