Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > RXH125N03TB1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3089660

RXH125N03TB1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$0.531
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RXH125N03TB1
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.RXH125N03TB1.pdf
    2.RXH125N03TB1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SOP
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    12 mOhm @ 12.5A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2W (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1000pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    12.7nC @ 5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 12.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    12.5A (Ta)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RXH125N03TB1”.
AUIRLR2908

AUIRLR2908

Opis: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
STP20N95K5

STP20N95K5

Opis: MOSFET N-CH 950V 17.5A TO-220

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
STB43N65M5

STB43N65M5

Opis: MOSFET N-CH 650V 42A

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
AON7403L_001

AON7403L_001

Opis: MOSFET P-CH 30V 11A 8DFN

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
NTMFS5C442NT3G

NTMFS5C442NT3G

Opis: MOSFET N-CH 40V 29A 140A 5DFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMC7672

FDMC7672

Opis: MOSFET N-CH 30V 8-MLP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVMFS5C677NLWFT1G

NVMFS5C677NLWFT1G

Opis: T6 60V S08FL SINGLE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
DMN10H220LE-13

DMN10H220LE-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN6040SFDE-7

DMN6040SFDE-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 5.3A U-DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
SI7153DN-T1-GE3

SI7153DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 18A POWERPAK1212

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRF7807VD2TRPBF

IRF7807VD2TRPBF

Opis: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
RJK1051DPB-00#J5

RJK1051DPB-00#J5

Opis: MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
SI2333DS-T1-E3

SI2333DS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IXFX27N80Q

IXFX27N80Q

Opis: MOSFET N-CH 800V 27A PLUS 247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IRFH5255TR2PBF

IRFH5255TR2PBF

Opis: MOSFET N-CH 25V 15A 8VQFN

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IRF3707ZSTRL

IRF3707ZSTRL

Opis: MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
PSMN5R6-100BS,118

PSMN5R6-100BS,118

Opis: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
IXFX90N30

IXFX90N30

Opis: MOSFET N-CH 300V 90A PLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
NVMFS5885NLWFT1G

NVMFS5885NLWFT1G

Opis: MOSFET N-CH 60V 39A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
PMF370XN,115

PMF370XN,115

Opis: MOSFET N-CH 30V 0.87A SOT323

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.