Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > RUU002N05T106
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4152943Obraz RUU002N05T106.LAPIS Semiconductor

RUU002N05T106

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.42
10+
$0.385
100+
$0.216
500+
$0.115
1000+
$0.079
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RUU002N05T106
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    RUU002N05T106.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±8V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    UMT3
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    200mW (Ta)
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    SC-70, SOT-323
  • Inne nazwy
    RUU002N05T106DKR
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    25pF @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    1.2V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    50V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 50V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    200mA (Ta)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RUU002N05T106”.
2SK2503TL

2SK2503TL

Opis: MOSFET N-CH 60V 5A DPAK

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRFU9024

IRFU9024

Opis: MOSFET P-CH 60V 8.8A I-PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI3438DV-T1-E3

SI3438DV-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-TSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
FCPF9N60NTYDTU

FCPF9N60NTYDTU

Opis: MOSFET N-CH 600V 9A TO220F

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SI7196DP-T1-GE3

SI7196DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
FDB2710

FDB2710

Opis: MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
DMN3026LVT-7

DMN3026LVT-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
SI7115DN-T1-GE3

SI7115DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IXKF40N60SCD1

IXKF40N60SCD1

Opis: MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
AOT282L

AOT282L

Opis: MOSFET N-CH 80V 18.5A TO220

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
IRL3714LPBF

IRL3714LPBF

Opis: MOSFET N-CH 20V 36A TO-262

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
N0602N-S19-AY

N0602N-S19-AY

Opis: MOSFET N-CH 60V 100A TO-220

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
IPD30N12S3L31ATMA1

IPD30N12S3L31ATMA1

Opis: MOSFET N-CHANNEL_100+

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IXTQ44P15T

IXTQ44P15T

Opis: MOSFET P-CH 150V 44A TO-3P

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
STB13N80K5

STB13N80K5

Opis: MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
NTTFS5116PLTAG

NTTFS5116PLTAG

Opis: MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-WDFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
STD3LN62K3

STD3LN62K3

Opis: MOSFET N-CH 620V 2.5A DPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
IRL3103LPBF

IRL3103LPBF

Opis: MOSFET N-CH 30V 64A TO-262

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB048N06LGATMA1

IPB048N06LGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 100A TO-263

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
NTMFS6B05NT3G

NTMFS6B05NT3G

Opis: MOSFET N-CH 100V 16A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.