Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > RUF020N02TL
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4093500Obraz RUF020N02TL.LAPIS Semiconductor

RUF020N02TL

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.60
10+
$0.471
100+
$0.323
500+
$0.222
1000+
$0.166
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RUF020N02TL
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.RUF020N02TL.pdf
    2.RUF020N02TL.pdf
    3.RUF020N02TL.pdf
    4.RUF020N02TL.pdf
    5.RUF020N02TL.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±10V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TUMT3
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    105 mOhm @ 2A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    320mW (Ta)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    3-SMD, Flat Leads
  • Inne nazwy
    RUF020N02TLCT
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    10 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    180pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    2nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 20V 2A (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount TUMT3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    2A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RUF020N02TL”.
TSM018NA03CR RLG

TSM018NA03CR RLG

Opis: MOSFET N-CH 30V 185A 8PDFN

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
SQD100N03-3M4_GE3

SQD100N03-3M4_GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRFI744G

IRFI744G

Opis: MOSFET N-CH 450V 4.9A TO220FP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA419DJ-T1-GE3

SIA419DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIJ494DP-T1-GE3

SIJ494DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 150V 36.8A SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRL3502SPBF

IRL3502SPBF

Opis: MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SFT1446-TL-H

SFT1446-TL-H

Opis: MOSFET N-CH 60V 20A TP-FA

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
RUF025N02TL

RUF025N02TL

Opis: MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
AO4404BL_101

AO4404BL_101

Opis: MOSFET N-CH 8-SOIC

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
RUF025N02FRATL

RUF025N02FRATL

Opis: NCH 20V 2.5A MIDDLE POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SI4178DY-T1-GE3

SI4178DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
PH3120L,115

PH3120L,115

Opis: MOSFET N-CH 20V 100A LFPAK

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
IPI80N04S303AKSA1

IPI80N04S303AKSA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
2SK3755-AZ

2SK3755-AZ

Opis: TRANSISTOR

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
NTD78N03G

NTD78N03G

Opis: MOSFET N-CH 25V 11.4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IPD60R460CEAUMA1

IPD60R460CEAUMA1

Opis: CONSUMER

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IRFU224PBF

IRFU224PBF

Opis: MOSFET N-CH 250V 3.8A I-PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IXTQ120N15T

IXTQ120N15T

Opis: MOSFET N-CH 150V 120A TO-3P

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
RUF015N02TL

RUF015N02TL

Opis: MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRLB4030PBF

IRLB4030PBF

Opis: MOSFET N-CH 100V 180A TO-220AB

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.