Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > RTU002P02T106
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5743235Obraz RTU002P02T106.LAPIS Semiconductor

RTU002P02T106

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.159
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RTU002P02T106
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 20V 0.25A SOT-323
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    RTU002P02T106.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±12V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    UMT3
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    1.5 Ohm @ 250mA, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    200mW (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    SC-70, SOT-323
  • Inne nazwy
    RTU002P02T106TR
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    50pF @ 10V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 20V 250mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    250mA (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RTU002P02T106”.
NVMFS6B75NLT3G

NVMFS6B75NLT3G

Opis: MOSFET N-CH 100V 7A 28A 5DFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
AON6407

AON6407

Opis: MOSFET P-CH 30V 32A 8DFN

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
NVATS5A107PLZT4G

NVATS5A107PLZT4G

Opis: MOSFET P-CHANNEL 40V 55A ATPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IXTA42N25P

IXTA42N25P

Opis: MOSFET N-CH 250V 42A TO-263

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
STL7N80K5

STL7N80K5

Opis: MOSFET N-CH 800V 8POWERFLAT

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
SQJA90EP-T1_GE3

SQJA90EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
TK11A45D(STA4,Q,M)

TK11A45D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 450V 11A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
IPP65R225C7XKSA1

IPP65R225C7XKSA1

Opis: MOSFET N-CH 650V 11A TO-220-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IRFR2405TRLPBF

IRFR2405TRLPBF

Opis: MOSFET N-CH 55V 56A DPAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IXFV96N20P

IXFV96N20P

Opis: MOSFET N-CH 200V 96A PLUS 220

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
SPP21N50C3HKSA1

SPP21N50C3HKSA1

Opis: MOSFET N-CH 560V 21A TO-220AB

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
STD20NF06LAG

STD20NF06LAG

Opis: MOSFET N-CHANNEL 60V 24A DPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
SPB21N10 G

SPB21N10 G

Opis: MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB80N06S2L09ATMA2

IPB80N06S2L09ATMA2

Opis: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
STFI26N60M2

STFI26N60M2

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A I2PAKFP

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
ZXMN2A01E6TA

ZXMN2A01E6TA

Opis: MOSFET N-CH 20V 2.44 A SOT-23-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
IRF3704SPBF

IRF3704SPBF

Opis: MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SQM100N10-10_GE3

SQM100N10-10_GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 100A TO-263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
FCP22N60N-F102

FCP22N60N-F102

Opis: MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVMFS5C673NLWFAFT1G

NVMFS5C673NLWFAFT1G

Opis: MOSFET N-CHANNEL 60V 50A 5DFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.