Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > RTF025N03FRATL
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4657011Obraz RTF025N03FRATL.LAPIS Semiconductor

RTF025N03FRATL

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.53
10+
$0.417
100+
$0.286
500+
$0.196
1000+
$0.147
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RTF025N03FRATL
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    2.5V DRIVE NCH MOSFET
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.RTF025N03FRATL.pdf
    2.RTF025N03FRATL.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 1mA
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TUMT3
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    67 mOhm @ 2.5A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    800mW (Ta)
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    3-SMD, Flat Leads
  • Inne nazwy
    RTF025N03FRATLDKR
  • temperatura robocza
    150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    10 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    270pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    5.2nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 2.5A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TUMT3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    2.5A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RTF025N03FRATL”.
IPP60R380C6XKSA1

IPP60R380C6XKSA1

Opis: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
RTFD12B

RTFD12B

Opis: GASKET PANEL SHELL SIZE 12

Producenci: Amphenol Tuchel Electronics
Na stanie
RFQ
RTFD14B

RTFD14B

Opis: GASKET PANEL SHELL SIZE 14

Producenci: Amphenol Tuchel Electronics
Na stanie
RFQ
RTF010P02TL

RTF010P02TL

Opis: MOSFET P-CH 20V 1A TUMT3

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RTF025N03TL

RTF025N03TL

Opis: MOSFET N-CH 30V 2.5A TUMT3

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
BUK654R6-55C,127

BUK654R6-55C,127

Opis: MOSFET N-CH 55V 100A TO220AB

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
RFQ
SI4462DY-T1-E3

SI4462DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NMSD200B01-7

NMSD200B01-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
RTF015N03TL

RTF015N03TL

Opis: MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT3

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
BUK9907-55ATE,127

BUK9907-55ATE,127

Opis: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
RFQ
RTF020P02TL

RTF020P02TL

Opis: MOSFET P-CH 20V 2A TUMT3

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RTFD18B

RTFD18B

Opis: GASKET PANEL SHELL SIZE 18

Producenci: Amphenol Tuchel Electronics
Na stanie
RFQ
RTFD10B

RTFD10B

Opis: GASKET PANEL SHELL SIZE 10

Producenci: Amphenol Tuchel Electronics
Na stanie
RFQ
RTFD16B

RTFD16B

Opis: GASKET PANEL SHELL SIZE 16

Producenci: Amphenol Tuchel Electronics
Na stanie
RFQ
RTF015P02TL

RTF015P02TL

Opis: MOSFET P-CH 20V 1.5A TUMT3

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RTF016N05TL

RTF016N05TL

Opis: MOSFET N-CH 45V 1.6A TUMT3

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RTFD24B

RTFD24B

Opis: CONN PANEL GASKET SQ BLACK SZ 24

Producenci: Amphenol Tuchel Electronics
Na stanie
RFQ
FDP8D5N10C

FDP8D5N10C

Opis: FET ENGR DEV-NOT REL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IPI040N06N3GXKSA1

IPI040N06N3GXKSA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 90A

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
RTFD20B

RTFD20B

Opis: CONN PANEL GASKET SQ BLACK SZ 20

Producenci: Amphenol Tuchel Electronics
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.