Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > RRL035P03TR
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5859599Obraz RRL035P03TR.LAPIS Semiconductor

RRL035P03TR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.65
10+
$0.51
100+
$0.35
500+
$0.24
1000+
$0.18
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RRL035P03TR
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 30V 3.5A TUMT6
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.RRL035P03TR.pdf
    2.RRL035P03TR.pdf
    3.RRL035P03TR.pdf
    4.RRL035P03TR.pdf
    5.RRL035P03TR.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TUMT6
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    50 mOhm @ 3.5A, 10V
  • Strata mocy (max)
    320mW (Ta)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    6-SMD, Flat Leads
  • Inne nazwy
    RRL035P03CT
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    10 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    800pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    8nC @ 5V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 30V 3.5A (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount TUMT6
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    3.5A (Ta)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RRL035P03TR”.
AON6508_101

AON6508_101

Opis: MOSFET N-CH DFN

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
SPI47N10L

SPI47N10L

Opis: MOSFET N-CH 100V 47A I2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
DMN2020UFCL-7

DMN2020UFCL-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
RRL025P03FRATR

RRL025P03FRATR

Opis: PCH -30V -2.5A POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
DMN3009LFVW-13

DMN3009LFVW-13

Opis: MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNH10H028SCT

DMNH10H028SCT

Opis: MOSFET BVDSS: 61V 100V,TO220-3,T

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
IRFU3607-701PBF

IRFU3607-701PBF

Opis: MOSFET N CH 75V 56A IPAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IRLZ24L

IRLZ24L

Opis: MOSFET N-CH 60V 17A TO-262

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RRL035P03FRATR

RRL035P03FRATR

Opis: PCH -30V -3.5A POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRFIBC40G

IRFIBC40G

Opis: MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220FP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
STF40N60M2

STF40N60M2

Opis: MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
NVMFS5C673NLT3G

NVMFS5C673NLT3G

Opis: MOSFET N-CH 60V SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
AON6758_102

AON6758_102

Opis: MOSFET N-CH 30V

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
RRL025P03TR

RRL025P03TR

Opis: MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SPP100N06S2L-05

SPP100N06S2L-05

Opis: MOSFET N-CH 55V 100A TO-220

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
RRLDCASTER

RRLDCASTER

Opis: CASTERS (4) LIGHT DUTY

Producenci: Hammond Manufacturing
Na stanie
RFQ
RRLPDOL

RRLPDOL

Opis: DOLLY LOW PROFILE HEAVY DUTY

Producenci: Hammond Manufacturing
Na stanie
RFQ
STD11NM60N-1

STD11NM60N-1

Opis: MOSFET N-CH 600V 10A I-PAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
STL12P6F6

STL12P6F6

Opis: MOSFET P-CH 60V 4A 8POWERFLAT

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
IRF6635TR1

IRF6635TR1

Opis: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.