Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > RRH100P03GZETB
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4866876

RRH100P03GZETB

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.95
10+
$1.726
100+
$1.364
500+
$1.058
1000+
$0.835
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RRH100P03GZETB
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 30V 10A SOP8
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    RRH100P03GZETB.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SOP
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    12.6 mOhm @ 10A, 10V
  • Strata mocy (max)
    650mW (Ta)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Inne nazwy
    RRH100P03GZETBCT
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    3600pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    68nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 30V 10A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount 8-SOP
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    10A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RRH100P03GZETB”.
FQP47P06

FQP47P06

Opis: MOSFET P-CH 60V 47A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IXFH17N80Q

IXFH17N80Q

Opis: MOSFET N-CH 800V 17A TO-247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
RRH140P03GZETB

RRH140P03GZETB

Opis: MOSFET P-CH 30V 14A 8SOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
AOTF11S60

AOTF11S60

Opis: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
RRH140P03TB1

RRH140P03TB1

Opis: MOSFET P-CH 30V 14A SOP8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RRH090P03TB1

RRH090P03TB1

Opis: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RRH075P03TB1

RRH075P03TB1

Opis: MOSFET P-CH 30V 7.5A SOP8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
NP110N055PUG-E1-AY

NP110N055PUG-E1-AY

Opis: MOSFET N-CH 55V 110A TO-263

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
RRH050P03TB1

RRH050P03TB1

Opis: MOSFET P-CH 30V 5A SOP8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQA17N40

FQA17N40

Opis: MOSFET N-CH 400V 17.2A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
RRH100P03TB1

RRH100P03TB1

Opis: MOSFET P-CH 30V 10A SOP8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RRH040P03TB1

RRH040P03TB1

Opis: MOSFET P-CH 30V 4A SOP8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQA18N50V2

FQA18N50V2

Opis: MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
STWA88N65M5

STWA88N65M5

Opis: MOSFET N-CH 650V 84A TO-247

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
SSH22N50A

SSH22N50A

Opis: MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMFS4H01NT3G

NTMFS4H01NT3G

Opis: MOSFET N-CH 25V 54A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
RRHDDOL

RRHDDOL

Opis: DOLLY HEAVY DUTY 19" RELAY RACK

Producenci: Hammond Manufacturing
Na stanie
RFQ
NTAT6H406NT4G

NTAT6H406NT4G

Opis: NCH 80V 175A 2.9MOHM

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IPA65R150CFDXKSA1

IPA65R150CFDXKSA1

Opis: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
RRH050P03GZETB

RRH050P03GZETB

Opis: MOSFET P-CH 30V 5A 8SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.