Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > RRE02VSM4STR
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1501209Obraz RRE02VSM4STR.LAPIS Semiconductor

RRE02VSM4STR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.085
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RRE02VSM4STR
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GP 400V 200MA TUMD2SM
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.RRE02VSM4STR.pdf
    2.RRE02VSM4STR.pdf
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.1V @ 200mA
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    400V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TUMD2SM
  • Prędkość
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    2-SMD, Flat Lead
  • Inne nazwy
    RRE02VSM4STRTR
  • Temperatura pracy - złącze
    150°C (Max)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    10 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 400V 200mA Surface Mount TUMD2SM
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1µA @ 400V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    200mA
  • Pojemność @ VR F
    -

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RRE02VSM4STR”.
RRE04EA6DFHTR

RRE04EA6DFHTR

Opis: RECTIFYING DIODE (AEC-Q101 QUALI

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RRE07VTM6SFHTR

RRE07VTM6SFHTR

Opis: RECTIFIER DIODES (CORRESPONDS TO

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
VS-SD500N45MSC

VS-SD500N45MSC

Opis: MOD DIODE 560A 4500V B-PUK

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
RRE02VTM4SFHTR

RRE02VTM4SFHTR

Opis: RECTIFIER DIODES (CORRESPONDS TO

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RRE02VSM6STR

RRE02VSM6STR

Opis: DIODE GP 600V 200MA TUMD2SM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RRE02VS4SGTR

RRE02VS4SGTR

Opis: DIODE GEN PURP 400V 200MA TUMD2S

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RRE07VSM6STR

RRE07VSM6STR

Opis: DIODE GP 600V 700MA TUMD2SM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RRE04EA4DFHTR

RRE04EA4DFHTR

Opis: RECTIFIER DIODES (CORRESPONDS TO

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N3891R

1N3891R

Opis: FAST RECOVERY RECTIFIER

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
RRE02VTM6SFHTR

RRE02VTM6SFHTR

Opis: RECTIFIER DIODES (CORRESPONDS TO

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
GP10K-E3/73

GP10K-E3/73

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RRE02VS6SGTR

RRE02VS6SGTR

Opis: DIODE GEN PURP 600V 200MA TUMD2S

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
JAN1N6622U

JAN1N6622U

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
RRE07VSM4STR

RRE07VSM4STR

Opis: DIODE GP 400V 700MA TUMD2SM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRD3CH53DF6

IRD3CH53DF6

Opis: DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
RA 13V

RA 13V

Opis: DIODE SCHOTTKY 30V 2A AXIAL

Producenci: Sanken Electric Co., Ltd.
Na stanie
RFQ
RRE07VTM4SFHTR

RRE07VTM4SFHTR

Opis: RECTIFIER DIODES (CORRESPONDS TO

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RRE04EA4DTR

RRE04EA4DTR

Opis: DIODE GEN PURP 400V 400MA TSMD5

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SB3H100-E3/73

SB3H100-E3/73

Opis: DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO201AD

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
MBR0530T3

MBR0530T3

Opis: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SOD123

Producenci: ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.