Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > RR601BM4SFHTL
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1353425Obraz RR601BM4SFHTL.LAPIS Semiconductor

RR601BM4SFHTL

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$0.473
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RR601BM4SFHTL
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    RECTIFYING DIODE (AEC-Q101 QUALI
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.1V @ 6A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    400V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-252
  • Prędkość
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Inne nazwy
    RR601BM4SFHTLTR
  • Temperatura pracy - złącze
    150°C (Max)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 400V 6A Surface Mount TO-252
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    10µA @ 400V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    6A
  • Pojemność @ VR F
    -
SS16HM2G

SS16HM2G

Opis: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RR601BM4STL

RR601BM4STL

Opis: DIODE GEN PURP 400V 6A TO252

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
1N4148W-HE3-08

1N4148W-HE3-08

Opis: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
CDBA140LL-G

CDBA140LL-G

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC

Producenci: Comchip Technology
Na stanie
EGL41C-E3/96

EGL41C-E3/96

Opis: DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
JANTX1N5416

JANTX1N5416

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
R306100

R306100

Opis: RECTIFIER

Producenci: Microsemi
Na stanie
VS-307URA250

VS-307URA250

Opis: DIODE GEN PURP 2.5KV 300A DO9

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
BAS19WTR

BAS19WTR

Opis: DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT323

Producenci: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Na stanie
SRAS8150 MNG

SRAS8150 MNG

Opis: DIODE SCHOTTKY 150V 8A TO263AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
GATELEAD1110008XPSA1

GATELEAD1110008XPSA1

Opis: HIGH POWER THYR / DIO

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
8ETH03S

8ETH03S

Opis: DIODE GEN PURP 300V 8A D2PAK

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RR601B4STL

RR601B4STL

Opis: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
SK36-7

SK36-7

Opis: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
20ETF10STRL

20ETF10STRL

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 20A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
S3KHE3_A/I

S3KHE3_A/I

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SBAS16HT3G

SBAS16HT3G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
S1PD-M3/84A

S1PD-M3/84A

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
AU02ZV0

AU02ZV0

Opis: DIODE GEN PURP 200V 800MA AXIAL

Producenci: Sanken Electric Co., Ltd.
Na stanie
S1BL R3G

S1BL R3G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść