Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > RQ1A060ZPTR
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
256442Obraz RQ1A060ZPTR.LAPIS Semiconductor

RQ1A060ZPTR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RQ1A060ZPTR
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±10V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TSMT8
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    23 mOhm @ 6A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    700mW (Ta)
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    8-SMD, Flat Lead
  • Inne nazwy
    RQ1A060ZPTRDKR
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    2800pF @ 6V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    34nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    12V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 12V 6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSMT8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    6A (Ta)
DMP2170U-13

DMP2170U-13

Opis: MOSFET PCH 20V 3.1A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RZR025P01TL

RZR025P01TL

Opis: MOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RQ1A070ZPTR

RQ1A070ZPTR

Opis: MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
STWA48N60DM2

STWA48N60DM2

Opis: MOSFET

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RQ1C075UNTR

RQ1C075UNTR

Opis: MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
TPH4R003NL,L1Q

TPH4R003NL,L1Q

Opis: MOSFET N-CH 30V 63A 8SOP

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
SI7840BDP-T1-E3

SI7840BDP-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
NDD60N360U1T4G

NDD60N360U1T4G

Opis: MOSFET N-CH 600V 114A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
ES6U1T2R

ES6U1T2R

Opis: MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
DMN2300UFB4-7B

DMN2300UFB4-7B

Opis: MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RQ1A070APTR

RQ1A070APTR

Opis: MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
IRFR2407TRR

IRFR2407TRR

Opis: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
DMN10H220LVT-13

DMN10H220LVT-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMT3003LFG-13

DMT3003LFG-13

Opis: MOSFET NCH 30V 22A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RQ1C065UNTR

RQ1C065UNTR

Opis: MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
BUK6Y12-30PX

BUK6Y12-30PX

Opis: BUK6Y12-30P/SOT669/LFPAK

Producenci: Nexperia
Na stanie
NTTFS4985NFTWG

NTTFS4985NFTWG

Opis: MOSFET N-CH 30V 64A U8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RQ1E050RPTR

RQ1E050RPTR

Opis: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RQ1E070RPTR

RQ1E070RPTR

Opis: MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RQ1E100XNTR

RQ1E100XNTR

Opis: MOSFET N-CH 30V 10A TSMT8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść