Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > RF501B2STL
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2829747Obraz RF501B2STL.Rohm Semiconductor

RF501B2STL

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RF501B2STL
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 200V 5A CPD
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Szczyt Rewers (Max)
    Standard
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    5A
  • Napięcie - Podział
    CPD
  • Seria
    -
  • Stan RoHS
    Digi-Reel®
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Odporność @ Jeżeli F
    -
  • Polaryzacja
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Inne nazwy
    RF501B2STLDKR
  • Temperatura pracy - złącze
    30ns
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Numer części producenta
    RF501B2STL
  • Rozszerzony opis
    Diode Standard 200V 5A Surface Mount CPD
  • Diode Configuration
    1µA @ 200V
  • Opis
    DIODE GEN PURP 200V 5A CPD
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    920mV @ 5A
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode)
    200V
  • Pojemność @ VR F
    150°C (Max)
RF501B6STL

RF501B6STL

Opis: DIODE GEN PURPOSE CPD

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RF501BM2SFHTL

RF501BM2SFHTL

Opis: SUPER FAST RECOVERY DIODES

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RF5516

RF5516

Opis: IC SWITCH WLAN SP2T

Producenci: RFMD
Na stanie
RF501BM2STL

RF501BM2STL

Opis: DIODE GEN PURP 200V 5A TO252

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RF5110GTR7

RF5110GTR7

Opis: IC GSM POWER AMP 3V 16-QFN

Producenci: RFMD
Na stanie
RF505BM6SFHTL

RF505BM6SFHTL

Opis: SUPER FAST RECOVERY DIODES

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RF5122

RF5122

Opis: IC AMP 802.11B/G/N 2.4GHZ 8QFN

Producenci: RFMD
Na stanie
RF5626

RF5626

Opis: IC RF AMP 4.9GHZ-5.85GHZ

Producenci: RFMD
Na stanie
RF505TF6S

RF505TF6S

Opis: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220NFM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RF5731

RF5731

Opis: SCOTCH OUTDOOR FASTENERS RF5731

Producenci: 3M
Na stanie
RF5187TR7

RF5187TR7

Opis: IC AMP UMTS 800MHZ-2.5GHZ 8SOIC

Producenci: RFMD
Na stanie
RF501PS2STB

RF501PS2STB

Opis: DIODE GEN PURP 200V 5A 8TSOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RF5652

RF5652

Opis: IC RF AMP WIMAX 2.4GHZ 32QFN

Producenci: RFMD
Na stanie
RF505B6STL

RF505B6STL

Opis: DIODE GEN PURP 600V 5A CPD

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RF505BM6STL

RF505BM6STL

Opis: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RF5110G

RF5110G

Opis: IC AMP GSM 800MHZ-950MHZ 16QFN

Producenci: RFMD
Na stanie
RF5500

RF5500

Opis: IC SWITCH WLAN SP3T 8DFN

Producenci: RFMD
Na stanie
RF5110GPCK-410

RF5110GPCK-410

Opis: KIT EVAL FOR RF5110G

Producenci: RFMD
Na stanie
RF5373

RF5373

Opis: IC AMP 802.11B/G/N 2.4GHZ 8QFN

Producenci: RFMD
Na stanie
RF5730

RF5730

Opis: SCOTCH OUTDOOR FASTENERS RF5730

Producenci: 3M
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść