Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > RD3P175SNTL1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1694021Obraz RD3P175SNTL1.LAPIS Semiconductor

RD3P175SNTL1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.76
10+
$1.562
100+
$1.234
500+
$0.957
1000+
$0.756
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RD3P175SNTL1
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    NCH 100V 17.5A POWER MOSFET
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-252
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    105 mOhm @ 8.8A, 10V
  • Strata mocy (max)
    20W (Tc)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Inne nazwy
    RD3P175SNTL1CT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    13 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    950pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    24nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 100V 17.5A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount TO-252
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    17.5A (Ta)
RD3T100CNTL1

RD3T100CNTL1

Opis: NCH 200V 10A POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RD3H160SPTL1

RD3H160SPTL1

Opis: PCH -45V -16A POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RD3P050SNTL1

RD3P050SNTL1

Opis: NCH 100V 5A POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RD3H080SPTL1

RD3H080SPTL1

Opis: PCH -45V -8A POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RD3T050CNTL1

RD3T050CNTL1

Opis: NCH 200V 5A POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RD3L050SNTL1

RD3L050SNTL1

Opis: NCH 60V 5A POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RD3S100CNTL1

RD3S100CNTL1

Opis: NCH 190V 10A POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RD3U080CNTL1

RD3U080CNTL1

Opis: NCH 250V 8A POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RD3T075CNTL1

RD3T075CNTL1

Opis: NCH 200V 7.5A POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RD3S075CNTL1

RD3S075CNTL1

Opis: NCH 190V 7.5A POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RD3L080SNTL1

RD3L080SNTL1

Opis: NCH 60V 8A POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RD3P130SPTL1

RD3P130SPTL1

Opis: PCH -100V -13A POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść