Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > RD3P130SPTL1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4138304Obraz RD3P130SPTL1.LAPIS Semiconductor

RD3P130SPTL1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.94
10+
$1.752
100+
$1.408
500+
$1.095
1000+
$0.907
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RD3P130SPTL1
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    PCH -100V -13A POWER MOSFET
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    RD3P130SPTL1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-252
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    200 mOhm @ 6.5A, 10V
  • Strata mocy (max)
    20W (Tc)
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Inne nazwy
    RD3P130SPTL1DKR
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    13 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    2400pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    40nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 100V 13A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount TO-252
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    13A (Ta)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RD3P130SPTL1”.
RD3L080SNTL1

RD3L080SNTL1

Opis: NCH 60V 8A POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RD3L220SNTL1

RD3L220SNTL1

Opis: NCH 60V 22A POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RD3T050CNTL1

RD3T050CNTL1

Opis: NCH 200V 5A POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RD3S075CNTL1

RD3S075CNTL1

Opis: NCH 190V 7.5A POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RD3L050SNFRATL

RD3L050SNFRATL

Opis: AUTOMOTIVE NCH 60V 5A POWER MOSF

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RD3H200SNTL1

RD3H200SNTL1

Opis: NCH 45V 20A POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RD3P050SNTL1

RD3P050SNTL1

Opis: NCH 100V 5A POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RD3P175SNTL1

RD3P175SNTL1

Opis: NCH 100V 17.5A POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RD3S100CNTL1

RD3S100CNTL1

Opis: NCH 190V 10A POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RD3H160SPTL1

RD3H160SPTL1

Opis: PCH -45V -16A POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RD3H080SPTL1

RD3H080SPTL1

Opis: PCH -45V -8A POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RD3T075CNTL1

RD3T075CNTL1

Opis: NCH 200V 7.5A POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RD3U080CNTL1

RD3U080CNTL1

Opis: NCH 250V 8A POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RD3T100CNTL1

RD3T100CNTL1

Opis: NCH 200V 10A POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RD3P100SNTL1

RD3P100SNTL1

Opis: NCH 100V 10A POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RD3U040CNTL1

RD3U040CNTL1

Opis: NCH 250V 4A POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RD3U060CNTL1

RD3U060CNTL1

Opis: NCH 250V 6A POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RD3L140SPTL1

RD3L140SPTL1

Opis: PCH -60V -14A POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RD3L050SNTL1

RD3L050SNTL1

Opis: NCH 60V 5A POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RD3L150SNTL1

RD3L150SNTL1

Opis: NCH 60V 15A POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.