Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > MMBZ30VALFHT116
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6426117Obraz MMBZ30VALFHT116.LAPIS Semiconductor

MMBZ30VALFHT116

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.23
10+
$0.212
25+
$0.153
100+
$0.119
250+
$0.075
500+
$0.064
1000+
$0.043
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MMBZ30VALFHT116
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR (AE
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.MMBZ30VALFHT116.pdf
    2.MMBZ30VALFHT116.pdf
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    24V (Max)
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    43V
  • Napięcie - podziały (min)
    28.5V
  • Kanały jednokierunkowe
    1
  • Rodzaj
    Zener
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SSD3
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101
  • Ochrona linii zasilających
    No
  • Moc - Peak Pulse
    40W
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Inne nazwy
    MMBZ30VALFHT116CT
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    12 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    950mA
  • Pojemność @ Częstotliwość
    38pF @ 1MHz
  • Aplikacje
    Automotive

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „MMBZ30VALFHT116”.
MMBZ27VCLT1

MMBZ27VCLT1

Opis: TVS DIODE 22V 38V SOT23-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMBZ27VDA-E3-08

MMBZ27VDA-E3-08

Opis: DIODE ZENER 27V 225MW SOT23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
MMBZ30VALT116

MMBZ30VALT116

Opis: TVS DIODE 24V 43V SOT23

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMBZ33VALVL

MMBZ33VALVL

Opis: TVS DIODE 26V 46V TO236AB

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
MMBZ33VALT3G

MMBZ33VALT3G

Opis: TVS DIODE 26V 46V SOT23-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMBZ27VCWT1G

MMBZ27VCWT1G

Opis: TVS DIODE 22V 38V SC70-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMBZ33VALT1G

MMBZ33VALT1G

Opis: TVS DIODE 26V 46V SOT23-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMBZ27VDA-HE3-18

MMBZ27VDA-HE3-18

Opis: DIODE ZENER 40W 1MA 27V SOT23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
MMBZ27VDA-G3-18

MMBZ27VDA-G3-18

Opis: DIODE ZENER 27V 225MW SOT23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
MMBZ33VALT3

MMBZ33VALT3

Opis: TVS DIODE 26V 46V SOT23-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMBZ27VCLFHT116

MMBZ27VCLFHT116

Opis: TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR (AE

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMBZ27VCLT1G

MMBZ27VCLT1G

Opis: TVS DIODE 22V 38V SOT23-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMBZ33VAL,215

MMBZ33VAL,215

Opis: TVS DIODE 26V 46V SOT23

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
MMBZ33VALT1

MMBZ33VALT1

Opis: TVS DIODE 26V 46V SOT23-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMBZ33VAL-7-F

MMBZ33VAL-7-F

Opis: TVS DIODE 26V 46V SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
MMBZ27VDA-G3-08

MMBZ27VDA-G3-08

Opis: DIODE ZENER 27V 225MW SOT23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
MMBZ33VALT116

MMBZ33VALT116

Opis: TVS DIODE 26V 46V SOT23

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMBZ27VDA-HE3-08

MMBZ27VDA-HE3-08

Opis: DIODE ZENER 27V 225MW SOT23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
MMBZ27VDA-E3-18

MMBZ27VDA-E3-18

Opis: DIODE ZENER 27V 225MW SOT23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
MMBZ33VAL-7

MMBZ33VAL-7

Opis: TVS DIODE 26V 46V SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.