Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > BSM080D12P2C008
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1080318Obraz BSM080D12P2C008.LAPIS Semiconductor

BSM080D12P2C008

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$308.11
10+
$297.486
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    BSM080D12P2C008
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    SIC POWER MODULE-1200V-80A
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.BSM080D12P2C008.pdf
    2.BSM080D12P2C008.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 13.2mA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    Module
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    -
  • Moc - Max
    600W
  • Opakowania
    Tray
  • Package / Case
    Module
  • temperatura robocza
    175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    800pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    -
  • Rodzaj FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Cecha FET
    Silicon Carbide (SiC)
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    1200V (1.2kV)
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 80A (Tc) 600W Chassis Mount Module
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    80A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „BSM080D12P2C008”.
BSM100GD60DLCBOSA1

BSM100GD60DLCBOSA1

Opis: IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSM100GB60DLCHOSA1

BSM100GB60DLCHOSA1

Opis: IGBT MODULE 600V 130A

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSM100GP60BOSA1

BSM100GP60BOSA1

Opis: IGBT 2 LOW POWER ECONO3-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSM100GB120DLCKHOSA1

BSM100GB120DLCKHOSA1

Opis: IGBT 2 MED POWER 34MM-1

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSM10GP120BOSA1

BSM10GP120BOSA1

Opis: IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSM100GB120DLCHOSA1

BSM100GB120DLCHOSA1

Opis: IGBT 2 MED POWER 62MM-1

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSM100GB120DN2HOSA1

BSM100GB120DN2HOSA1

Opis: IGBT 2 MED POWER 62MM-1

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSM100GD120DLCBOSA1

BSM100GD120DLCBOSA1

Opis: IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSM10GP60BOSA1

BSM10GP60BOSA1

Opis: IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSM10GD120DN2E3224BOSA1

BSM10GD120DN2E3224BOSA1

Opis: IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSM100GD120DN2BOSA1

BSM100GD120DN2BOSA1

Opis: IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSM1-X

BSM1-X

Opis: CONN SPLICE 18-20 AWG CRIMP

Producenci: Panduit
Na stanie
RFQ
BSM100GB170DLCHOSA1

BSM100GB170DLCHOSA1

Opis: IGBT 2 MED POWER 62MM-1

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSM100GAL120DLCKHOSA1

BSM100GAL120DLCKHOSA1

Opis: IGBT 2 MED POWER 34MM-1

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSM100GB170DN2HOSA1

BSM100GB170DN2HOSA1

Opis: MODULE IGBT 1700V

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSM

BSM

Opis: 9V MALE SNAP

Producenci: MPD (Memory Protection Devices)
Na stanie
RFQ
BSM-015G-LF

BSM-015G-LF

Opis: PRESSURE SNESOR 15PSIG SM

Producenci: All Sensors Corporation
Na stanie
RFQ
BSM100GB120DN2KHOSA1

BSM100GB120DN2KHOSA1

Opis: IGBT 2 MED POWER 34MM-1

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSM10GD120DN2BOSA1

BSM10GD120DN2BOSA1

Opis: IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSM1-C

BSM1-C

Opis: CONN SPLICE 18-20 AWG CRIMP

Producenci: Panduit
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.