Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > BR35H640FJ-WCE2
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3330817Obraz BR35H640FJ-WCE2.LAPIS Semiconductor

BR35H640FJ-WCE2

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$0.815
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    BR35H640FJ-WCE2
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC EEPROM 64K SPI 5MHZ 8SOPJ
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    5ms
  • Napięcie - Dostawa
    2.5 V ~ 5.5 V
  • Technologia
    EEPROM
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SOP-J
  • Seria
    Automotive, AEC-Q100
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Inne nazwy
    BR35H640FJWCE2
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 125°C (TA)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Typ pamięci
    Non-Volatile
  • Rozmiar pamięci
    64Kb (8K x 8)
  • Interfejs pamięci
    SPI
  • Format pamięci
    EEPROM
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    12 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    EEPROM Memory IC 64Kb (8K x 8) SPI 5MHz 8-SOP-J
  • Częstotliwość zegara
    5MHz
  • Podstawowy numer części
    BR35H640
BR35005-G

BR35005-G

Opis: BRIDGE DIODE 35A 50V BR

Producenci: Comchip Technology
Na stanie
BR3C10UC

BR3C10UC

Opis: CB MCB 489 3P C 10A ACDC

Producenci: Weidmuller
Na stanie
BR3504-G

BR3504-G

Opis: BRIDGE DIODE 35A 400V BR

Producenci: Comchip Technology
Na stanie
BR38

BR38

Opis: DIODE BRIDGE 800V 3A BR-3

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
BR3C12UC

BR3C12UC

Opis: CB MCB 489 3P C 12A ACDC

Producenci: Weidmuller
Na stanie
BR34L02FVT-WE2

BR34L02FVT-WE2

Opis: IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8TSSOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
BR3510-G

BR3510-G

Opis: BRIDGE DIODE 35A 1000V BR

Producenci: Comchip Technology
Na stanie
BR35H128F-WCE2

BR35H128F-WCE2

Opis: IC EEPROM 128K SPI 5MHZ 8SOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
BR3510W-G

BR3510W-G

Opis: BRIDGE DIODE 35A 1000V BR-W

Producenci: Comchip Technology
Na stanie
BR3C13UC

BR3C13UC

Opis: CB MCB 489 3P C 13A ACDC

Producenci: Weidmuller
Na stanie
BR3C16UC

BR3C16UC

Opis: CB MCB 489 3P C 16A ACDC

Producenci: Weidmuller
Na stanie
BR3C16AC

BR3C16AC

Opis: CB MCB 3P 16A

Producenci: Weidmuller
Na stanie
BR3504W-G

BR3504W-G

Opis: BRIDGE DIODE 35A 400V BR-W

Producenci: Comchip Technology
Na stanie
BR34L02FV-WE2

BR34L02FV-WE2

Opis: IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8SSOPB

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
BR35005W-G

BR35005W-G

Opis: BRIDGE DIODE 35A 50V BR-W

Producenci: Comchip Technology
Na stanie
BR35H128FJ-WCE2

BR35H128FJ-WCE2

Opis: IC EEPROM 128K SPI 5MHZ 8SOPJ

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
BR3C15UC

BR3C15UC

Opis: CB MCB 489 3P C 15A ACDC

Producenci: Weidmuller
Na stanie
BR3C1UC

BR3C1UC

Opis: CB MCB 489 3P C 1A ACDC

Producenci: Weidmuller
Na stanie
BR3C20UC

BR3C20UC

Opis: CB MCB 489 3P C 20A ACDC

Producenci: Weidmuller
Na stanie
BR36

BR36

Opis: DIODE BRIDGE 600V 3A BR-3

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść