Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > KGF12N05-400-SP
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3389352

KGF12N05-400-SP

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    KGF12N05-400-SP
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC MOSFET N-CH
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    800mV @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±5.5V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    6-WLCSP (1.47x1.47)
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    2.4 mOhm @ 12A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    2.5W (Ta)
  • Package / Case
    6-SMD, No Lead
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    940pF @ 5.5V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    6nC @ 3.5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    3.5V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    5.5V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 5.5V 12A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 6-WLCSP (1.47x1.47)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    12A (Ta)
NTD5803NT4G

NTD5803NT4G

Opis: MOSFET N-CH 40V 76A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
IRF9310PBF

IRF9310PBF

Opis: MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
BUK758R3-40E,127

BUK758R3-40E,127

Opis: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB

Producenci: Nexperia
Na stanie
SIHG35N60E-GE3

SIHG35N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 32A TO247AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
KGF6N05D-400

KGF6N05D-400

Opis: IC MOSFET N-CH

Producenci: Intersil
Na stanie
IXFH7N100P

IXFH7N100P

Opis: MOSFET N-CH

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
STP7N105K5

STP7N105K5

Opis: MOSFET N-CH 1050V 4A TO-220AB

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STD6NM60N-1

STD6NM60N-1

Opis: MOSFET N-CH 600V 4.6A IPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
SI4894BDY-T1-GE3

SI4894BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
JAN2N7236

JAN2N7236

Opis: MOSFET P-CH 100V 18A TO-254AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
PH6325L,115

PH6325L,115

Opis: MOSFET N-CH 25V 78.7A LFPAK

Producenci: Nexperia
Na stanie
STL200N45LF7

STL200N45LF7

Opis: MOSFET N-CH 45V 120A POWERFLAT

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
IPB04N03LAT

IPB04N03LAT

Opis: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
KGF16N05D-400

KGF16N05D-400

Opis: MOSFET N-CH 5.5V DUAL 20WLCSP

Producenci: Intersil
Na stanie
FDB0630N1507L

FDB0630N1507L

Opis: MOSFET N-CH 150V 130A

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RP1E090RPTR

RP1E090RPTR

Opis: MOSFET P-CH 30V 9A MPT6

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
SI1431DH-T1-E3

SI1431DH-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 30V 1.7A SOT363

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
IRF6674TRPBF

IRF6674TRPBF

Opis: MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
SI3474DV-T1-GE3

SI3474DV-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 3.8A TSOP-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
NTMSD6N303R2

NTMSD6N303R2

Opis: MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść