Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IPB090N06N3GATMA1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
86841Obraz IPB090N06N3GATMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB090N06N3GATMA1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1000+
$0.539
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IPB090N06N3GATMA1
  • Producent / marka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    IPB090N06N3GATMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 34µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    D²PAK (TO-263AB)
  • Seria
    OptiMOS™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    9 mOhm @ 50A, 10V
  • Strata mocy (max)
    71W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Inne nazwy
    IPB090N06N3 G
    IPB090N06N3 G-ND
    IPB090N06N3 GTR-ND
    IPB090N06N3G
    IPB090N06N3GATMA1TR
    SP000398042
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    2900pF @ 30V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    36nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 60V 50A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    50A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IPB090N06N3GATMA1”.
IPB08CN10N G

IPB08CN10N G

Opis: MOSFET N-CH 100V 95A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB080N03LGATMA1

IPB080N03LGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB100N04S204ATMA4

IPB100N04S204ATMA4

Opis: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB080N06N G

IPB080N06N G

Opis: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB075N04LGATMA1

IPB075N04LGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB083N10N3GATMA1

IPB083N10N3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB100N04S204ATMA1

IPB100N04S204ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB100N04S2L03ATMA1

IPB100N04S2L03ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB081N06L3GATMA1

IPB081N06L3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB09N03LA

IPB09N03LA

Opis: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB100N04S2L03ATMA2

IPB100N04S2L03ATMA2

Opis: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB09N03LA G

IPB09N03LA G

Opis: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB096N03LGATMA1

IPB096N03LGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB083N15N5LFATMA1

IPB083N15N5LFATMA1

Opis: MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB085N06L G

IPB085N06L G

Opis: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB09N03LAT

IPB09N03LAT

Opis: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB073N15N5ATMA1

IPB073N15N5ATMA1

Opis: MV POWER MOS

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB08CNE8N G

IPB08CNE8N G

Opis: MOSFET N-CH 85V 95A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB097N08N3 G

IPB097N08N3 G

Opis: MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB093N04LGATMA1

IPB093N04LGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.