Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IPB073N15N5ATMA1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5085601Obraz IPB073N15N5ATMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB073N15N5ATMA1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1000+
$2.581
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IPB073N15N5ATMA1
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MV POWER MOS
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.6V @ 160µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PG-TO263-3-2
  • Seria
    OptiMOS™-5
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    7.3 mOhm @ 57A, 10V
  • Strata mocy (max)
    214W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Inne nazwy
    IPB073N15N5ATMA1-ND
    IPB073N15N5ATMA1TR
    SP001180660
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    4700pF @ 75V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    61nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    8V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    150V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 150V 114A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    114A (Tc)
IPB06N03LA

IPB06N03LA

Opis: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
IPB083N10N3GATMA1

IPB083N10N3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
IPB06N03LB

IPB06N03LB

Opis: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
IPB06N03LAT

IPB06N03LAT

Opis: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
IPB06N03LB G

IPB06N03LB G

Opis: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
IPB067N08N3GATMA1

IPB067N08N3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
IPB090N06N3GATMA1

IPB090N06N3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
IPB06CN10N G

IPB06CN10N G

Opis: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
IPB070N06L G

IPB070N06L G

Opis: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
IPB072N15N3GATMA1

IPB072N15N3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
IPB072N15N3GE8187ATMA1

IPB072N15N3GE8187ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
IPB075N04LGATMA1

IPB075N04LGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
IPB083N15N5LFATMA1

IPB083N15N5LFATMA1

Opis: MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
IPB085N06L G

IPB085N06L G

Opis: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
IPB08CN10N G

IPB08CN10N G

Opis: MOSFET N-CH 100V 95A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
IPB081N06L3GATMA1

IPB081N06L3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
IPB080N03LGATMA1

IPB080N03LGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
IPB08CNE8N G

IPB08CNE8N G

Opis: MOSFET N-CH 85V 95A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
IPB06N03LA G

IPB06N03LA G

Opis: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
IPB080N06N G

IPB080N06N G

Opis: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść