Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IAUT300N10S5N015ATMA1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4185697Obraz IAUT300N10S5N015ATMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IAUT300N10S5N015ATMA1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2000+
$3.782
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IAUT300N10S5N015ATMA1
  • Producent / marka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET_(75V,120V(
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zgodny z RoHS
  • Arkusze danych
    IAUT300N10S5N015ATMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.8V @ 275µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PG-HSOF-8-1
  • Seria
    OptiMOS™-5
  • Status RoHS
    RoHS Compliant
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    1.5 mOhm @ 100A, 10V
  • Strata mocy (max)
    375W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-PowerSFN
  • Inne nazwy
    IAUT300N10S5N015
    IAUT300N10S5N015ATMA1-ND
    IAUT300N10S5N015ATMA1TR
    IAUT300N10S5N015TR
    IAUT300N10S5N015TR-ND
    SP001416130
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    16011pF @ 50V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    216nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 100V 300A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    300A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IAUT300N10S5N015ATMA1”.
FDB0630N1507L

FDB0630N1507L

Opis: MOSFET N-CH 150V 130A

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRFD014PBF

IRFD014PBF

Opis: MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IAUT240N08S5N019ATMA1

IAUT240N08S5N019ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 75V 8HSOF

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
GP1M009A050FSH

GP1M009A050FSH

Opis: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
SUD40N08-16-E3

SUD40N08-16-E3

Opis: MOSFET N-CH 80V 40A TO252

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IAUT165N08S5N029ATMA2

IAUT165N08S5N029ATMA2

Opis: 80V 165A 2.9MOHM TOLL

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IXTY08N100P

IXTY08N100P

Opis: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
JANTX2N6800U

JANTX2N6800U

Opis: MOSFET N-CH

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
STB150NF04

STB150NF04

Opis: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
NVATS5A107PLZT4G

NVATS5A107PLZT4G

Opis: MOSFET P-CHANNEL 40V 55A ATPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IXTR200N10P

IXTR200N10P

Opis: MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IAUT150N10S5N035ATMA1

IAUT150N10S5N035ATMA1

Opis: 100V 150A 3.5MOHM TOLL

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
TJ80S04M3L(T6L1,NQ

TJ80S04M3L(T6L1,NQ

Opis: MOSFET P-CH 40V 80A DPAK-3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
IAUT300N08S5N012ATMA2

IAUT300N08S5N012ATMA2

Opis: MOSFET N-CH 75V 120V 8HSOF

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
HAT2299WP-EL-E

HAT2299WP-EL-E

Opis: MOSFET N-CH WPAK

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
IAUT260N10S5N019ATMA1

IAUT260N10S5N019ATMA1

Opis: MOSFET_(75V,120V(

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
STI28N60M2

STI28N60M2

Opis: MOSFET N-CH 600V 22A I2PAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
SI3457CDV-T1-E3

SI3457CDV-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-TSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IXFH18N90P

IXFH18N90P

Opis: MOSFET N-CH TO-247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFQ72N20X3

IXFQ72N20X3

Opis: 200V/72A ULTRA JUNCTION X3-CLASS

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.