Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IAUT260N10S5N019ATMA1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
966458Obraz IAUT260N10S5N019ATMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IAUT260N10S5N019ATMA1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2000+
$2.473
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IAUT260N10S5N019ATMA1
  • Producent / marka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET_(75V,120V(
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zgodny z RoHS
  • Arkusze danych
    IAUT260N10S5N019ATMA1.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.8V @ 210µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PG-HSOF-8-1
  • Seria
    OptiMOS™-5
  • Status RoHS
    RoHS Compliant
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    1.9 mOhm @ 100A, 10V
  • Strata mocy (max)
    300W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-PowerSFN
  • Inne nazwy
    IAUT260N10S5N019
    IAUT260N10S5N019ATMA1-ND
    IAUT260N10S5N019ATMA1TR
    IAUT260N10S5N019TR
    IAUT260N10S5N019TR-ND
    SP001676336
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    11830pF @ 50V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    166nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 100V 260A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    260A (Tc)

ABLIC and Infineon's innovative IC technology will driv...

2025/01/20

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IAUT260N10S5N019ATMA1”.
BUK7616-55A,118

BUK7616-55A,118

Opis: MOSFET N-CH 55V 65.7A D2PAK

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
RFQ
SISA10DN-T1-GE3

SISA10DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
FDZ191P

FDZ191P

Opis: MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDH50N50

FDH50N50

Opis: MOSFET N-CH 500V 48A TO-247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
STE30NK90Z

STE30NK90Z

Opis: MOSFET N-CH 900V 28A ISOTOP

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
AO4202_120

AO4202_120

Opis: MOSFET N-CH 8SOIC

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
IAUT165N08S5N029ATMA2

IAUT165N08S5N029ATMA2

Opis: 80V 165A 2.9MOHM TOLL

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IAUT300N08S5N012ATMA2

IAUT300N08S5N012ATMA2

Opis: MOSFET N-CH 75V 120V 8HSOF

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
FDP032N08-F102

FDP032N08-F102

Opis: MOSFET N-CHANNEL 75V 120A TO220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
TSM60NB1R4CP ROG

TSM60NB1R4CP ROG

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 3A TO252

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
FDP26N40

FDP26N40

Opis: MOSFET N-CH 400V 26A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
RF4E080GNTR

RF4E080GNTR

Opis: MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
IAUT150N10S5N035ATMA1

IAUT150N10S5N035ATMA1

Opis: 100V 150A 3.5MOHM TOLL

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPC045N10L3X1SA1

IPC045N10L3X1SA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IRLB4132PBF

IRLB4132PBF

Opis: MOSFET N-CH 30V 78A TO220

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IAUT240N08S5N019ATMA1

IAUT240N08S5N019ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 75V 8HSOF

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
HUF75329P3

HUF75329P3

Opis: MOSFET N-CH 55V 49A TO-220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IPC100N04S51R9ATMA1

IPC100N04S51R9ATMA1

Opis: N-CHANNEL_30/40V

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IAUT300N10S5N015ATMA1

IAUT300N10S5N015ATMA1

Opis: MOSFET_(75V,120V(

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
STP8NS25

STP8NS25

Opis: MOSFET N-CH 250V 8A TO-220

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.