Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - moduły > DF1000R17IE4DB2BOSA1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4903623

DF1000R17IE4DB2BOSA1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2+
$615.225
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DF1000R17IE4DB2BOSA1
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT MODULE 1700V 1000A
  • Stan ołowiu / status RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    1700V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    2.45V @ 15V, 1000A
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    Module
  • Seria
    -
  • Moc - Max
    6250W
  • Package / Case
    Module
  • Inne nazwy
    DF1000R17IE4D_B2
    DF1000R17IE4D_B2-ND
    SP000823694
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 150°C
  • Termistor NTC
    Yes
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    26 Weeks
  • Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce
    81nF @ 25V
  • Wkład
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    -
  • szczegółowy opis
    IGBT Module Single 1700V 6250W Chassis Mount Module
  • Obecny - Collector odcięcia (Max)
    5mA
  • Konfiguracja
    Single
DF10-26S-2DSA(62)

DF10-26S-2DSA(62)

Opis: CONN 26PIN THRU HOLE

Producenci: Hirose
Na stanie
DF10G6M4N,LF

DF10G6M4N,LF

Opis: TVS DIODE 5.5V 25V 10DFN

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
DF10M/45

DF10M/45

Opis: RECTIFIER BRIDGE 1.0A 1000V 4DIP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
DF1/CABLE-CRIMPER

DF1/CABLE-CRIMPER

Opis: TOOL HAND IMPACT RECT IDC CONN

Producenci: Hirose
Na stanie
DF10MA-E3/45

DF10MA-E3/45

Opis: DIODE GPP 1A 1000V 4DIP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
DF10-31S-2DSA(62)

DF10-31S-2DSA(62)

Opis: CONNECTOR 31 PIN FEMALE STRAIGHT

Producenci: Hirose
Na stanie
DF10G5M4N,LF

DF10G5M4N,LF

Opis: TVS DIODE 3.6V 24V 10DFN

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
DF10-31S-2DSA(59)

DF10-31S-2DSA(59)

Opis: CONNECTOR 31 PIN FEMALE STRAIGHT

Producenci: Hirose
Na stanie
DF10-31S-2DSA(68)

DF10-31S-2DSA(68)

Opis: CONN 31 PIN FEMALE STRAIGHT

Producenci: Hirose
Na stanie
DF10G7M1N,LF

DF10G7M1N,LF

Opis: TVS DIODE 5V 12V 10DFN

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
DF10M-E3/45

DF10M-E3/45

Opis: DIODE GPP 1A 1000V 4DIP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
DF10-29S-2DSA(62)

DF10-29S-2DSA(62)

Opis: CONN 29PIN THRU HOLE

Producenci: Hirose
Na stanie
DF1/AIR-PRESS/AP508

DF1/AIR-PRESS/AP508

Opis: TOOL BENCH PRESS RECT IDC CONN

Producenci: Hirose
Na stanie
DF10-G

DF10-G

Opis: RECT BRIDGE GPP 1000V 1A DF

Producenci: Comchip Technology
Na stanie
DF100R07W1H5FPB54BPSA2

DF100R07W1H5FPB54BPSA2

Opis: LOW POWER EASY

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
DF10M

DF10M

Opis: DIODE BRIDGE 1000V 1.5A 4DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
DF100R07W1H5FPB53BPSA2

DF100R07W1H5FPB53BPSA2

Opis: MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
DF1000R17IE4BOSA1

DF1000R17IE4BOSA1

Opis: IGBT MODULE 1700V 1000A

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
DF1/PRESS/HP513

DF1/PRESS/HP513

Opis: TOOL HAND PRESS RECT IDC CONN

Producenci: Hirose
Na stanie
DF10M

DF10M

Opis: RECT BRIDGE GPP 1000V 1A DF-M

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść