Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody - prostowniki mostkowe > DF10M
Poproś o wycenę
polski
857966Obraz DF10M.Diodes Incorporated

DF10M

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
5+
$0.087
50+
$0.069
150+
$0.061
500+
$0.054
2500+
$0.049
5000+
$0.046
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DF10M
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera RoHS / RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - Szczyt Rewers (Max)
    1kV
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.1V @ 1A
  • Technologia
    Standard
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DFM
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    4-EDIP (0.300", 7.62mm)
  • Inne nazwy
    DF10MDI
  • temperatura robocza
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    7 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Single Phase
  • szczegółowy opis
    Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole DFM
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    10µA @ 1000V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    1A
  • Podstawowy numer części
    DF10
DF10S-T

DF10S-T

Opis: RECT BRIDGE GPP 1A 1000V DFS

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DF10M-E3/45

DF10M-E3/45

Opis: DIODE GPP 1A 1000V 4DIP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
DF10S

DF10S

Opis: RECT BRIDGE SMD 1000V 1A 4P DF-S

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DF1000R17IE4BOSA1

DF1000R17IE4BOSA1

Opis: IGBT MODULE 1700V 1000A

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
DF100R07W1H5FPB53BPSA2

DF100R07W1H5FPB53BPSA2

Opis: MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
DF10G6M4N,LF

DF10G6M4N,LF

Opis: TVS DIODE 5.5V 25V 10DFN

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
DF10-31S-2DSA(68)

DF10-31S-2DSA(68)

Opis: CONN 31 PIN FEMALE STRAIGHT

Producenci: Hirose
Na stanie
DF10G7M1N,LF

DF10G7M1N,LF

Opis: TVS DIODE 5V 12V 10DFN

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
DF10M/45

DF10M/45

Opis: RECTIFIER BRIDGE 1.0A 1000V 4DIP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
DF10-G

DF10-G

Opis: RECT BRIDGE GPP 1000V 1A DF

Producenci: Comchip Technology
Na stanie
DF10-31S-2DSA(62)

DF10-31S-2DSA(62)

Opis: CONNECTOR 31 PIN FEMALE STRAIGHT

Producenci: Hirose
Na stanie
DF100R07W1H5FPB54BPSA2

DF100R07W1H5FPB54BPSA2

Opis: LOW POWER EASY

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
DF10S-E3/45

DF10S-E3/45

Opis:

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
DF10MA-E3/45

DF10MA-E3/45

Opis: DIODE GPP 1A 1000V 4DIP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
DF10S-E3/77

DF10S-E3/77

Opis:

Producenci: VISHAY
Na stanie
DF10M

DF10M

Opis: DIODE BRIDGE 1000V 1.5A 4DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
DF10G5M4N,LF

DF10G5M4N,LF

Opis: TVS DIODE 3.6V 24V 10DFN

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
DF10S-G

DF10S-G

Opis: RECT BRIDGE GPP 1000V 1A DFS

Producenci: Comchip Technology
Na stanie
DF1000R17IE4DB2BOSA1

DF1000R17IE4DB2BOSA1

Opis: IGBT MODULE 1700V 1000A

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść