Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > BSZ086P03NS3EGATMA1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
872322Obraz BSZ086P03NS3EGATMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

BSZ086P03NS3EGATMA1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.07
10+
$0.933
100+
$0.72
500+
$0.533
1000+
$0.426
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    BSZ086P03NS3EGATMA1
  • Producent / marka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    BSZ086P03NS3EGATMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.1V @ 105µA
  • Vgs (maks.)
    ±25V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PG-TSDSON-8
  • Seria
    OptiMOS™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    8.6 mOhm @ 20A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2.1W (Ta), 69W (Tc)
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    8-PowerTDFN
  • Inne nazwy
    BSZ086P03NS3E GDKR
    BSZ086P03NS3E GDKR-ND
    BSZ086P03NS3EGATMA1DKR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    4785pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    57.5nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 30V 13.5A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    13.5A (Ta), 40A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „BSZ086P03NS3EGATMA1”.
BSZ0703LSATMA1

BSZ0703LSATMA1

Opis: MOSFET N-CH 8TDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ088N03MSGATMA1

BSZ088N03MSGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ0901NSATMA1

BSZ0901NSATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V S308

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ065N06LS5ATMA1

BSZ065N06LS5ATMA1

Opis: MV POWER MOS

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ070N08LS5ATMA1

BSZ070N08LS5ATMA1

Opis: MV POWER MOS

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ0904NSIATMA1

BSZ0904NSIATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ0902NSIATMA1

BSZ0902NSIATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 21A TSDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ068N06NSATMA1

BSZ068N06NSATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ0909NSATMA1

BSZ0909NSATMA1

Opis: MOSFET N-CH 34V 9A 8TSDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ088N03LSGATMA1

BSZ088N03LSGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ075N08NS5ATMA1

BSZ075N08NS5ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ086P03NS3GATMA1

BSZ086P03NS3GATMA1

Opis: MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ084N08NS5ATMA1

BSZ084N08NS5ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ0909NDXTMA1

BSZ0909NDXTMA1

Opis: MOSFET 2 N-CH 30V 20A WISON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ065N03LSATMA1

BSZ065N03LSATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A TSDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ0902NSATMA1

BSZ0902NSATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ076N06NS3GATMA1

BSZ076N06NS3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ067N06LS3GATMA1

BSZ067N06LS3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ060NE2LSATMA1

BSZ060NE2LSATMA1

Opis: MOSFET N-CH 25V 12A TSDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ0901NSIATMA1

BSZ0901NSIATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.