Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > BSZ067N06LS3GATMA1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6663892Obraz BSZ067N06LS3GATMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

BSZ067N06LS3GATMA1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
5000+
$0.552
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    BSZ067N06LS3GATMA1
  • Producent / marka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.BSZ067N06LS3GATMA1.pdf
    2.BSZ067N06LS3GATMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 35µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PG-TSDSON-8
  • Seria
    OptiMOS™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    6.7 mOhm @ 20A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2.1W (Ta), 69W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-PowerVDFN
  • Inne nazwy
    BSZ067N06LS3 G
    BSZ067N06LS3G
    BSZ067N06LS3GATMA1TR
    BSZ067N06LS3GINTR
    BSZ067N06LS3GINTR-ND
    BSZ067N06LS3GZT
    SP000451080
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    5100pF @ 30V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    67nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 60V 14A (Ta), 20A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    14A (Ta), 20A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „BSZ067N06LS3GATMA1”.
BSZ075N08NS5ATMA1

BSZ075N08NS5ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ084N08NS5ATMA1

BSZ084N08NS5ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ0506NSATMA1

BSZ0506NSATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 15A 8TSDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ088N03LSGATMA1

BSZ088N03LSGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ068N06NSATMA1

BSZ068N06NSATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ088N03MSGATMA1

BSZ088N03MSGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ076N06NS3GATMA1

BSZ076N06NS3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ065N03LSATMA1

BSZ065N03LSATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A TSDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ086P03NS3EGATMA1

BSZ086P03NS3EGATMA1

Opis: MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ0703LSATMA1

BSZ0703LSATMA1

Opis: MOSFET N-CH 8TDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ060NE2LSATMA1

BSZ060NE2LSATMA1

Opis: MOSFET N-CH 25V 12A TSDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ065N06LS5ATMA1

BSZ065N06LS5ATMA1

Opis: MV POWER MOS

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ050N03MSGATMA1

BSZ050N03MSGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ086P03NS3GATMA1

BSZ086P03NS3GATMA1

Opis: MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ0589NSATMA1

BSZ0589NSATMA1

Opis: MOSFET N-CHANNEL 30V 17A 8TDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ058N03MSGATMA1

BSZ058N03MSGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ0503NSIATMA1

BSZ0503NSIATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 20A 8SON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ070N08LS5ATMA1

BSZ070N08LS5ATMA1

Opis: MV POWER MOS

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ058N03LSGATMA1

BSZ058N03LSGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSZ050N03LSGATMA1

BSZ050N03LSGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.