Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Zintegrowane obwody (ICS) > PMIC - sterowniki bramek > IXZ631DF18N50
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6604345Obraz IXZ631DF18N50.IXYS RF

IXZ631DF18N50

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$52.45
20+
$49.046
40+
$45.36
100+
$42.525
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IXZ631DF18N50
  • Producent / marka
    IXYS RF
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    500V 18A INTEGRATED POWER MOSFET
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    IXZ631DF18N50.pdf
  • Model ECAD
  • Napięcie - Dostawa
    8 V ~ 18 V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    10-SMD
  • Seria
    -
  • Czas narastania / spadku (typ)
    3.4ns, 1.65ns
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    10-SMD, Flat Lead
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Częstotliwość wejściowa
    1
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    14 Weeks
  • Napięcie logiczne - VIL, VIH
    0.8V, 3.5V
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    Non-Inverting
  • Wysoka strona napięcie - Max (Bootstrap)
    500V
  • Typ bramy
    N-Channel MOSFET
  • Konfiguracja napędzana
    Low-Side
  • szczegółowy opis
    Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 10-SMD
  • Prąd - szczytowe wyjście (źródło, zlewozmywak)
    95A, 95A
  • Baza-emiter Napięcie nasycenia (Max)
    Single
  • California Prop 65
    Warning Information WARNING: This product can expose you to chemicals including Chemicals which is known to the State of California to cause cancer and birth defects or other reproductive harm. For more information go to www.P65warnings.ca.gov.

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IXZ631DF18N50”.
IXZ318N50

IXZ318N50

Opis: RF MOSFET N-CHANNEL

Producenci: IXYS RF
Na stanie
RFQ
IXZ210N50L2

IXZ210N50L2

Opis: RF MOSFET N-CHANNEL DE275

Producenci: IXYS RF
Na stanie
RFQ
IXZR18N50B-00

IXZR18N50B-00

Opis: RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3

Producenci: IXYS RF
Na stanie
RFQ
IXZ2210N50L2

IXZ2210N50L2

Opis: RF MOSFET 2 N-CHANNEL DE275

Producenci: IXYS RF
Na stanie
RFQ
IXZ-2510

IXZ-2510

Opis: MEMS GYROSCOPE 2-AXIS 16QFN

Producenci: InvenSense
Na stanie
RFQ
IXZR18N50A-00

IXZR18N50A-00

Opis: RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3

Producenci: IXYS RF
Na stanie
RFQ
IXZR18N50

IXZR18N50

Opis: RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3

Producenci: IXYS RF
Na stanie
RFQ
ISL89162FRTAZ-T

ISL89162FRTAZ-T

Opis: IC MOSFET DRIVER 2CH 6A 8TDFN

Producenci: Intersil
Na stanie
RFQ
IXZ210N50L

IXZ210N50L

Opis: N-CHANNEL RF MOSFET 175MH

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXZR08N120B-00

IXZR08N120B-00

Opis: RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3

Producenci: IXYS RF
Na stanie
RFQ
IXZ308N120

IXZ308N120

Opis: RF MOSFET N-CHANNEL DE375

Producenci: IXYS
Na stanie
RFQ
IXZ631DF12N100

IXZ631DF12N100

Opis: IXZ631DF12N100 1000V 12A INTEGRA

Producenci: IXYS RF
Na stanie
RFQ
IXZH10N50L2B

IXZH10N50L2B

Opis: RF MOSFET N-CHANNEL TO-247

Producenci: IXYS RF
Na stanie
RFQ
IXZH10N50L2A

IXZH10N50L2A

Opis: RF MOSFET N-CHANNEL TO-247

Producenci: IXYS RF
Na stanie
RFQ
IXZR16N60

IXZR16N60

Opis: RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3

Producenci: IXYS RF
Na stanie
RFQ
IXZ316N60

IXZ316N60

Opis: RF MOSFET N-CHANNEL DE375

Producenci: IXYS RF
Na stanie
RFQ
IXDF602SIA

IXDF602SIA

Opis: MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO

Producenci: IXYS Integrated Circuits Division
Na stanie
RFQ
IXZR08N120A-00

IXZR08N120A-00

Opis: RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3

Producenci: IXYS RF
Na stanie
RFQ
IXZR08N120

IXZR08N120

Opis: RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3

Producenci: IXYS RF
Na stanie
RFQ
UCC37325P

UCC37325P

Opis: IC DUAL HS PWR FET DRVR 8-DIP

Producenci: Luminary Micro / Texas Instruments
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.