Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > MEO550-02DA
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3691371Obraz MEO550-02DA.IXYS Corporation

MEO550-02DA

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$72.25
10+
$67.875
25+
$64.809
100+
$61.306
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MEO550-02DA
  • Producent / marka
    IXYS / Littelfuse
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 200V 582A Y4-M6
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    MEO550-02DA.pdf
  • Model ECAD
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.25V @ 520A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    200V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    Y4-M6
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    200ns
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    Y4-M6
  • Inne nazwy
    MEO55002DA
    Q1147009A
  • Temperatura pracy - złącze
    -40°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 200V 582A Chassis Mount Y4-M6
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5mA @ 200V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    582A
  • Pojemność @ VR F
    -

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „MEO550-02DA”.
VS-30WQ03FNTRLPBF

VS-30WQ03FNTRLPBF

Opis: DIODE SCHOTTKY 30V 3.5A DPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
EGP10F-E3/73

EGP10F-E3/73

Opis: DIODE GEN PURP 300V 1A DO204AL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
ES1GRX

ES1GRX

Opis: ES1GR SOD123 SOD2

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
DL4935-13

DL4935-13

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A MELF

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
RB168LAM-40TFTR

RB168LAM-40TFTR

Opis: AUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SFS1008GHMNG

SFS1008GHMNG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 10A TO263AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
SBRB1045T4G

SBRB1045T4G

Opis: DIODE SCHOTTKY 45V 10A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N4934GPHE3/73

1N4934GPHE3/73

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
STTH212RL

STTH212RL

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 2A DO201AD

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
1PS76SB40,115

1PS76SB40,115

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOD323

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
RFN20NS3SFHTL

RFN20NS3SFHTL

Opis: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SBLB10L30-E3/45

SBLB10L30-E3/45

Opis: DIODE SCHOTTKY 30V 10A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BAT54-HE3-08

BAT54-HE3-08

Opis: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
HER302G B0G

HER302G B0G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
VS-SDD270M04MPBF

VS-SDD270M04MPBF

Opis: MOD DIODE MAP COMPRESSED

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
S1GHE3/5AT

S1GHE3/5AT

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
MEO450-12DA

MEO450-12DA

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 453A Y4-M6

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
BAV16W-7-F

BAV16W-7-F

Opis: DIODE GEN PURP 100V 150MA SOD123

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
MEO500-06DA

MEO500-06DA

Opis: DIODE GEN PURP 600V 514A Y4-M6

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
SR503HB0G

SR503HB0G

Opis: DIODE SCHOTTKY 30V 5A DO201AD

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.