Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IXTY1R4N60P
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4366623

IXTY1R4N60P

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IXTY1R4N60P
  • Producent / marka
    IXYS / Littelfuse
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    IXTY1R4N60P.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5.5V @ 25µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-252, (D-Pak)
  • Seria
    PolarHV™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    9 Ohm @ 700mA, 10V
  • Strata mocy (max)
    50W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    140pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    5.2nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    600V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 600V 1.4A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    1.4A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IXTY1R4N60P”.
IXTY1N120P

IXTY1N120P

Opis: MOSFET N-CH 1200V 1A TO-252

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTY1R6N100D2

IXTY1R6N100D2

Opis: MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTY24N15T

IXTY24N15T

Opis: MOSFET N-CH 150V 24A TO-252

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTY26P10T

IXTY26P10T

Opis: MOSFET P-CH 100V 26A TO-252

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTY1N80

IXTY1N80

Opis: MOSFET N-CH 800V 750MA TO-252AA

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTY15N20T

IXTY15N20T

Opis: MOSFET N-CH 200V 15A TO-252

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTY15P15T

IXTY15P15T

Opis: MOSFET P-CH 150V 15A TO-252

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTY1R4N120PHV

IXTY1R4N120PHV

Opis: MOSFET N-CH

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTY2N80P

IXTY2N80P

Opis: MOSFET N-CH 800V 2A TO-252AA

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTY1N100P

IXTY1N100P

Opis: MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTY2N65X2

IXTY2N65X2

Opis: MOSFET N-CH 650V 2A X2 TO-252

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTY1N80P

IXTY1N80P

Opis: MOSFET N-CH 800V 1A TO-252

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTY1R6N50D2

IXTY1R6N50D2

Opis: MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTY1R6N50P

IXTY1R6N50P

Opis: MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTY2N60P

IXTY2N60P

Opis: MOSFET N-CH 600V 2A D-PAK

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTY1R4N100P

IXTY1R4N100P

Opis: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-252

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTY2N100P

IXTY2N100P

Opis: MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTY1R4N120P

IXTY1R4N120P

Opis: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-252

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTY18P10T

IXTY18P10T

Opis: MOSFET P-CH 100V 18A TO-252

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTY1R4N60P TRL

IXTY1R4N60P TRL

Opis: MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.