Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IXTT6N120
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1450099Obraz IXTT6N120.IXYS Corporation

IXTT6N120

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
30+
$9.501
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IXTT6N120
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 1200V 6A TO-268
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-268
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    2.6 Ohm @ 3A, 10V
  • Strata mocy (max)
    300W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    24 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1950pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    56nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    1200V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 1200V 6A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    6A (Tc)
IXTT60N20L2

IXTT60N20L2

Opis: MOSFET N-CH 200V 60A TO268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT60N10

IXTT60N10

Opis: MOSFET N-CH 100V 60A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT80N20L

IXTT80N20L

Opis: MOSFET N-CH 200V 80A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT88N30P

IXTT88N30P

Opis: MOSFET N-CH 300V 88A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT68P20T

IXTT68P20T

Opis: MOSFET P-CH 200V 68A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT64N25P

IXTT64N25P

Opis: MOSFET N-CH 250V 64A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT88N15

IXTT88N15

Opis: MOSFET N-CH 150V 88A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT4N150HV

IXTT4N150HV

Opis: MOSFET N-CH 1.5KV 4A TO268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT74N20P

IXTT74N20P

Opis: MOSFET N-CH 200V 74A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT75N10

IXTT75N10

Opis: MOSFET N-CH 100V 75A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT50P10

IXTT50P10

Opis: MOSFET P-CH 100V 50A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT72N20

IXTT72N20

Opis: MOSFET N-CH 200V 72A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT75N20L2

IXTT75N20L2

Opis: MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT52N30P

IXTT52N30P

Opis: MOSFET N-CH 300V 52A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT50P085

IXTT50P085

Opis: MOSFET P-CH 85V 50A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT69N30P

IXTT69N30P

Opis: MOSFET N-CH 300V 69A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT8P50

IXTT8P50

Opis: MOSFET P-CH 500V 8A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT82N25P

IXTT82N25P

Opis: MOSFET N-CH 250V 82A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT75N10L2

IXTT75N10L2

Opis: MOSFET N-CH 100V 75A TO268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IXTT500N04T2

IXTT500N04T2

Opis: MOSFET N-CH 40V 500A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść