Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - pojedyncze > IXGM30N60
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
425475

IXGM30N60

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IXGM30N60
  • Producent / marka
    IXYS / Littelfuse
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    POWER MOSFET TO-3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    600V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    2.5V @ 15V, 30A
  • Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C
    100ns/500ns
  • Przełączanie Energy
    -
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-204AE
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    200ns
  • Moc - Max
    200W
  • Package / Case
    TO-204AE
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    -
  • brama Charge
    180nC
  • szczegółowy opis
    IGBT 600V 50A 200W Through Hole TO-204AE
  • Obecny - Collector impulsowe (ICM)
    100A
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    50A

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IXGM30N60”.
IXGM40N60AL

IXGM40N60AL

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXGL75N250

IXGL75N250

Opis: IGBT 2500V 110A 430W I5-PAK

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXGK75N250

IXGK75N250

Opis: IGBT 2500V 170A 780W TO264

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXGK82N120B3

IXGK82N120B3

Opis: IGBT 1200V 230A 1250W TO264

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXGN100N160A

IXGN100N160A

Opis: IGBT 200A 1600V SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXGM25N100A

IXGM25N100A

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXGM40N60A

IXGM40N60A

Opis: IGBT LO VOLT 600V 75AMP TO-204AE

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXGM20N60

IXGM20N60

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXGL50N60BD1

IXGL50N60BD1

Opis: IGBT 600V ISOPLUS264

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXGN200N60

IXGN200N60

Opis: IGBT 300A 600V SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXGK82N120A3

IXGK82N120A3

Opis: IGBT 1200V 260A 1250W TO264

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXGN120N60A3

IXGN120N60A3

Opis: IGBT 200A 600V SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXGM40N60

IXGM40N60

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXGN100N170

IXGN100N170

Opis: IGBT 1700V 160A GENX3 SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXGM20N60A

IXGM20N60A

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXGM17N100A

IXGM17N100A

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXGN120N60A3D1

IXGN120N60A3D1

Opis: IGBT 200A 600V SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXGN200N170

IXGN200N170

Opis: IGBT

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXGN100N120

IXGN100N120

Opis: IGBT 160A 1200V SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXGL200N60B3

IXGL200N60B3

Opis: IGBT 600V 150A 400W ISOPLUS264

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.