Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IXFN100N10S1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2975396Obraz IXFN100N10S1.IXYS Corporation

IXFN100N10S1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IXFN100N10S1
  • Producent / marka
    IXYS / Littelfuse
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    IXFN100N10S1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 4mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-227B
  • Seria
    HiPerFET™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    15 mOhm @ 500mA, 10V
  • Strata mocy (max)
    360W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    SOT-227-4, miniBLOC
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    4500pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    180nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 100V 100A (Tc) 360W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IXFN100N10S1”.
IXFN100N10S2

IXFN100N10S2

Opis: MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFM35N30

IXFM35N30

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN100N50P

IXFN100N50P

Opis: MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFM1766

IXFM1766

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFM11N80

IXFM11N80

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFM15N60

IXFM15N60

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFM1633

IXFM1633

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN106N20

IXFN106N20

Opis: MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN100N65X2

IXFN100N65X2

Opis: MOSFET N-CH

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFM1627

IXFM1627

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN100N25

IXFN100N25

Opis: MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN100N10S3

IXFN100N10S3

Opis: MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN100N20

IXFN100N20

Opis: MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFL82N60P

IXFL82N60P

Opis: MOSFET N-CH 600V 55A ISOPLUS 264

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN110N60P3

IXFN110N60P3

Opis: MOSFET N-CH 600V 90A SOT227

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN102N30P

IXFN102N30P

Opis: MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B

Producenci: IXYS
Na stanie
RFQ
IXFN100N50Q3

IXFN100N50Q3

Opis: MOSFET N-CH 500V 82A SOT-227

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFM10N90

IXFM10N90

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFM42N20

IXFM42N20

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFM67N10

IXFM67N10

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.