Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IXFM35N30
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6198009

IXFM35N30

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IXFM35N30
  • Producent / marka
    IXYS / Littelfuse
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    POWER MOSFET TO-3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    IXFM35N30.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 4mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-204AE
  • Seria
    HiPerFET™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    100 mOhm @ 17.5A, 10V
  • Strata mocy (max)
    300W (Tc)
  • Package / Case
    TO-204AE
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    4800pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    200nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    300V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 300V 35A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-204AE
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    35A (Tc)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IXFM35N30”.
IXFM15N60

IXFM15N60

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFL60N80P

IXFL60N80P

Opis: MOSFET N-CH 800V 40A ISOPLUS264

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFM1766

IXFM1766

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFM10N90

IXFM10N90

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN100N20

IXFN100N20

Opis: MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN100N10S3

IXFN100N10S3

Opis: MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFL70N60Q2

IXFL70N60Q2

Opis: MOSFET N-CH 600V 37A ISOPLUS264

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN100N25

IXFN100N25

Opis: MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN100N65X2

IXFN100N65X2

Opis: MOSFET N-CH

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN100N10S2

IXFN100N10S2

Opis: MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFM42N20

IXFM42N20

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFM11N80

IXFM11N80

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFM1633

IXFM1633

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN100N50P

IXFN100N50P

Opis: MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN100N50Q3

IXFN100N50Q3

Opis: MOSFET N-CH 500V 82A SOT-227

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFM67N10

IXFM67N10

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFN100N10S1

IXFN100N10S1

Opis: MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFL82N60P

IXFL82N60P

Opis: MOSFET N-CH 600V 55A ISOPLUS 264

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFM1627

IXFM1627

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFL80N50Q2

IXFL80N50Q2

Opis: MOSFET N-CH 500V 64A ISOPLUS264

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.