Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > 71V35761SA200BG8
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2157785Obraz 71V35761SA200BG8.IDT (Integrated Device Technology)

71V35761SA200BG8

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1000+
$8.153
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    71V35761SA200BG8
  • Producent / marka
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    1.71V35761SA200BG8.pdf
    2.71V35761SA200BG8.pdf
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    -
  • Napięcie - Dostawa
    3.135 V ~ 3.465 V
  • Technologia
    SRAM - Synchronous
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    119-PBGA (14x22)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    119-BGA
  • Inne nazwy
    IDT71V35761SA200BG8
    IDT71V35761SA200BG8-ND
  • temperatura robocza
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    4.5Mb (128K x 36)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    SRAM
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    10 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • szczegółowy opis
    SRAM - Synchronous Memory IC 4.5Mb (128K x 36) Parallel 200MHz 3.1ns 119-PBGA (14x22)
  • Częstotliwość zegara
    200MHz
  • Podstawowy numer części
    IDT71V35761
  • Czas dostępu
    3.1ns

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „71V35761SA200BG8”.
71V35761SA183BGG8

71V35761SA183BGG8

Opis: IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
71V35761SA200BGG8

71V35761SA200BGG8

Opis: IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
71V35761SA200BQG

71V35761SA200BQG

Opis: IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
71V35761SA183BGI

71V35761SA183BGI

Opis: IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
71V35761SA200BQGI8

71V35761SA200BQGI8

Opis: IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
71V35761SA200BQG8

71V35761SA200BQG8

Opis: IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
71V35761SA200BGGI8

71V35761SA200BGGI8

Opis: IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
71V35761SA183BGG

71V35761SA183BGG

Opis: IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
71V35761SA200BGGI

71V35761SA200BGGI

Opis: IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
71V35761SA183BGI8

71V35761SA183BGI8

Opis: IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
71V35761SA183BQG

71V35761SA183BQG

Opis: IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
71V35761SA200BG

71V35761SA200BG

Opis: IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
71V35761SA183BQG8

71V35761SA183BQG8

Opis: IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
71V35761SA183BG8

71V35761SA183BG8

Opis: IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
71V35761SA200BGI8

71V35761SA200BGI8

Opis: IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
71V35761SA200BQGI

71V35761SA200BQGI

Opis: IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
71V35761SA200BGI

71V35761SA200BGI

Opis: IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
71V35761SA200BGG

71V35761SA200BGG

Opis: IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
71V35761SA183BGGI8

71V35761SA183BGGI8

Opis: IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
71V35761SA183BGGI

71V35761SA183BGGI

Opis: IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.