Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > 70V3579S5BFI8
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4294872Obraz 70V3579S5BFI8.IDT (Integrated Device Technology)

70V3579S5BFI8

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1000+
$60.039
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    70V3579S5BFI8
  • Producent / marka
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    1.70V3579S5BFI8.pdf
    2.70V3579S5BFI8.pdf
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    -
  • Napięcie - Dostawa
    3.15 V ~ 3.45 V
  • Technologia
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    208-CABGA (15x15)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    208-LFBGA
  • Inne nazwy
    IDT70V3579S5BFI8
    IDT70V3579S5BFI8-ND
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    1.125Mb (32K x 36)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    SRAM
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    10 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • szczegółowy opis
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 5ns 208-CABGA (15x15)
  • Podstawowy numer części
    IDT70V3579
  • Czas dostępu
    5ns

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „70V3579S5BFI8”.
70V3579S6BC

70V3579S6BC

Opis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
70V3579S4DRG

70V3579S4DRG

Opis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
70V3579S6BCI

70V3579S6BCI

Opis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
70V3579S5DR

70V3579S5DR

Opis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
70V3579S6BC8

70V3579S6BC8

Opis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
70V3579S5BFI

70V3579S5BFI

Opis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
70V3579S5BCI

70V3579S5BCI

Opis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
70V3579S5BCGI

70V3579S5BCGI

Opis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
70V3579S5DRI

70V3579S5DRI

Opis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
70V3579S6BF

70V3579S6BF

Opis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
70V3579S4DR

70V3579S4DR

Opis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
70V3579S6DR

70V3579S6DR

Opis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
70V3579S6BF8

70V3579S6BF8

Opis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
70V3579S5BC8

70V3579S5BC8

Opis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
70V3579S5BCI8

70V3579S5BCI8

Opis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
70V3579S5BC

70V3579S5BC

Opis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
70V3579S5BF8

70V3579S5BF8

Opis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
70V3579S5BF

70V3579S5BF

Opis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
70V3579S6BCI8

70V3579S6BCI8

Opis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
70V3589S133BC

70V3589S133BC

Opis: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.