Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > 70V3579S5BCGI
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3736593Obraz 70V3579S5BCGI.IDT (Integrated Device Technology)

70V3579S5BCGI

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
12+
$75.749
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    70V3579S5BCGI
  • Producent / marka
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.70V3579S5BCGI.pdf
    2.70V3579S5BCGI.pdf
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    -
  • Napięcie - Dostawa
    3.15 V ~ 3.45 V
  • Technologia
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    256-CABGA (17x17)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tray
  • Package / Case
    256-LBGA
  • Inne nazwy
    IDT70V3579S5BCGI
    IDT70V3579S5BCGI-ND
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    4 (72 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    1.125Mb (32K x 36)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    SRAM
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    10 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 5ns 256-CABGA (17x17)
  • Podstawowy numer części
    IDT70V3579
  • Czas dostępu
    5ns

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „70V3579S5BCGI”.
70V3579S5BF

70V3579S5BF

Opis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
70V3579S5BC

70V3579S5BC

Opis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
70V3579S4BFG

70V3579S4BFG

Opis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
70V3579S5DRI

70V3579S5DRI

Opis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
70V3579S5BCI8

70V3579S5BCI8

Opis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
70V3579S4BCG

70V3579S4BCG

Opis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
70V3579S4BC8

70V3579S4BC8

Opis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
70V3579S4BF8

70V3579S4BF8

Opis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
70V3579S5BCI

70V3579S5BCI

Opis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
70V3579S6BC8

70V3579S6BC8

Opis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
70V3579S5BFI

70V3579S5BFI

Opis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
70V3579S5BFI8

70V3579S5BFI8

Opis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
70V3579S4BC

70V3579S4BC

Opis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
70V3579S4DRG

70V3579S4DRG

Opis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
70V3579S5DR

70V3579S5DR

Opis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
70V3579S6BC

70V3579S6BC

Opis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
70V3579S4DR

70V3579S4DR

Opis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
70V3579S5BC8

70V3579S5BC8

Opis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
70V3579S4BF

70V3579S4BF

Opis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
70V3579S5BF8

70V3579S5BF8

Opis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.