Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Zintegrowane obwody (ICS) > Pamięć > 6116SA35SOG8
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
998029

6116SA35SOG8

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    6116SA35SOG8
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    35ns
  • Napięcie - Dostawa
    4.5 V ~ 5.5 V
  • Technologia
    SRAM - Asynchronous
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    24-SOIC
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • Inne nazwy
    IDT6116SA35SOG8
    IDT6116SA35SOG8-ND
  • temperatura robocza
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    16Kb (2K x 8)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    SRAM
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    SRAM - Asynchronous Memory IC 16Kb (2K x 8) Parallel 35ns 24-SOIC
  • Podstawowy numer części
    IDT6116
  • Czas dostępu
    35ns
6116SA35TDB

6116SA35TDB

Opis: IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
6116SA25SOG

6116SA25SOG

Opis: IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
6116SA20TPG

6116SA20TPG

Opis: IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
6116SA90TDB

6116SA90TDB

Opis: IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
6116SA25SOGI

6116SA25SOGI

Opis: IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
61173-1

61173-1

Opis: CONN SOCKET 22-30AWG TIN CRIMP

Producenci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na stanie
6116SA70TDB

6116SA70TDB

Opis: IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
6116SA25TDB

6116SA25TDB

Opis: IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
6116SA55TDB

6116SA55TDB

Opis: IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
6116SA25SOG8

6116SA25SOG8

Opis: IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
6116SA20TPGI

6116SA20TPGI

Opis: IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
6116SA70DB

6116SA70DB

Opis: IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
6116SA25TPGI

6116SA25TPGI

Opis: IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
6116SA35SOG

6116SA35SOG

Opis: IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
6116SA90DB

6116SA90DB

Opis: IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
6116SA45TDB

6116SA45TDB

Opis: IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
6116SA45DB

6116SA45DB

Opis: IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
6116SA25SOGI8

6116SA25SOGI8

Opis: IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
6116SA55DB

6116SA55DB

Opis: IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
6116SA25TPG

6116SA25TPG

Opis: IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść