Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > 1N5908G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6742210Obraz 1N5908G.Hamlin / Littelfuse

1N5908G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    1N5908G
  • Producent / marka
    Hamlin / Littelfuse
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 5V 8.5V AXIAL
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.1N5908G.pdf
    2.1N5908G.pdf
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    5V
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    8.5V
  • Napięcie - podziały (min)
    6V
  • Kanały jednokierunkowe
    1
  • Rodzaj
    Zener
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    Axial
  • Seria
    Mosorb™
  • Ochrona linii zasilających
    No
  • Moc - Peak Pulse
    1500W (1.5kW)
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    DO-201AD, Axial
  • Inne nazwy
    1N5908G-ND
    1N5908GOS
  • temperatura robocza
    -65°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    -
  • Pojemność @ Częstotliwość
    -
  • Podstawowy numer części
    1N5908
  • Aplikacje
    General Purpose

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „1N5908G”.
1N5913APE3/TR8

1N5913APE3/TR8

Opis: DIODE ZENER 3.3V 1.5W DO204AL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N5913A

1N5913A

Opis: ZENER DIODE

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N5834

1N5834

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 40A DO5

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N5908RL4

1N5908RL4

Opis: TVS DIODE 5V 8.5V AXIAL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N5834

1N5834

Opis: 5A SCHOTTKY RECTIFIER

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N5908RL4G

1N5908RL4G

Opis: TVS DIODE 5V 8.5V AXIAL

Producenci: Hamlin / Littelfuse
Na stanie
RFQ
1N5913AE3/TR13

1N5913AE3/TR13

Opis: DIODE ZENER 3.3V 1.5W DO204AL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N5913APE3/TR12

1N5913APE3/TR12

Opis: DIODE ZENER 3.3V 1.5W DO204AL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N5833

1N5833

Opis: DIODE SCHOTTKY 30V 40A DO5

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N5834R

1N5834R

Opis: DIODE SCHOTTKY REV 40V DO5

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N5833R

1N5833R

Opis: DIODE SCHOTTKY REV 30V DO5

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N5913AP/TR12

1N5913AP/TR12

Opis: DIODE ZENER 3.3V 1.5W DO204AL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N5833

1N5833

Opis: 5A SCHOTTKY RECTIFIER

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N5913B

1N5913B

Opis: ZENER DIODE

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N5832R

1N5832R

Opis: DIODE SCHOTTKY REV 20V DO5

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N5908

1N5908

Opis: TVS DIODE 5V 8.5V AXIAL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N5907

1N5907

Opis: TVS DIODE 5V 8.5V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N5908

1N5908

Opis: TVS DIODE 5V 8.5V CB429

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
1N5913A G

1N5913A G

Opis: DIODE ZENER 3.3V 1.25W DO204AL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N5913AP/TR8

1N5913AP/TR8

Opis: DIODE ZENER 3.3V 1.5W DO204AL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.